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1. (WO2010025264) TWO-STEP HARDMASK FABRICATION METHODOLOGY FOR SILICON WAVEGUIDES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/025264    International Application No.:    PCT/US2009/055213
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 27.08.2009
IPC:
G02B 6/10 (2006.01)
Applicants: BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION INC. [US/US]; PO Box 868, NHQ-719 Nashua, NH 03061-0868 (US) (For All Designated States Except US).
CAROTHERS, Daniel, N. [US/US]; (US) (For US Only).
HILL, Craig, M. [US/US]; (US) (For US Only).
POMERENE, Andrew TS [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CAROTHERS, Daniel, N.; (US).
HILL, Craig, M.; (US).
POMERENE, Andrew TS; (US)
Agent: LONG, Daniel, J.; (US)
Priority Data:
12/201,807 29.08.2008 US
Title (EN) TWO-STEP HARDMASK FABRICATION METHODOLOGY FOR SILICON WAVEGUIDES
(FR) MÉTHODOLOGIE DE FABRICATION D’UN MASQUE DUR EN DEUX ÉTAPES POUR GUIDES D’ONDES EN SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)Techniques are disclosed for efficiently fabricating semiconductors including waveguide structures. In particular, a two-step hardmask technology is provided that enables a stable etch base within semiconductor processing environments, such as the CMOS fabrication environment. The process is two-step in that there is deposition of a two-layer hardmask, followed by a first photolithographic pattern, followed by a first silicon etch, then a second photolithographic pattern, and then a second silicon etch. The process can be used, for example, to form a waveguide structure having both ridge and channel configurations, or a waveguide (ridge and/or channel) and a salicide heater structure, all achieved using the same hardmask. The second photolithographic pattern allows for the formation of the lower electrical contacts to the waveguides (or other structures) without a complicated rework of the hardmask.
(FR)La présente invention a pour objet des techniques permettant de fabriquer efficacement des semi-conducteurs comprenant des structures de guide d’ondes. En particulier, la présente invention concerne une technologie de masque dur en deux étapes, qui permet une base de gravure stable au sein d’environnements de traitement de semi-conducteurs, tels que l’environnement de fabrication de CMOS. Le procédé est en deux étapes, en ce qu’il y a dépôt d’un masque dur à deux couches, suivi par un premier motif photolithographique, suivi par une première gravure au silicium, puis un second motif photolithographique, et ensuite une seconde gravure au silicium. Le procédé peut être utilisé, par exemple, pour former une structure de guide d’ondes ayant à la fois des configurations de saillie et de canal, ou un guide d’ondes (saillie et/ou canal) et une structure d’appareil de chauffage au siliciure auto-aligné, tous réalisés au moyen du même masque dur. Le second motif photolithographique permet la formation des contacts électriques inférieurs sur les guides d’ondes (ou d’autres structures) sans une remise en fabrication compliquée du masque dur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)