WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010025260) SALICIDE STRUCTURES FOR HEAT-INFLUENCED SEMICONDUCTOR APPLICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/025260    International Application No.:    PCT/US2009/055209
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 27.08.2009
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: BAY SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION INC. [US/US]; PO Box 868, NHQ-719 Nashua, NH 03061-0868 (US) (For All Designated States Except US).
CAROTHERS, Daniel, N. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CAROTHERS, Daniel, N.; (US)
Agent: LONG, Daniel, J.; (US)
Priority Data:
12/201,791 29.08.2008 US
Title (EN) SALICIDE STRUCTURES FOR HEAT-INFLUENCED SEMICONDUCTOR APPLICATIONS
(FR) STRUCTURES AU SILICIURE POUR LES APPLICATIONS DE SEMI-CONDUCTEURS INFLUENCÉES PAR LA CHALEUR
Abstract: front page image
(EN)A salicide heater structure for use in therrao-optic and other he at- influenced semiconductor devices is disclosed. In one example embodiment, a system is provided that includes a silicon substrate, and a salicide heating element formed on the substrate, for delivering heat radiation to a heat-influenced semiconductor device. Another example embodiment is a salicide semiconductor system that includes a silicon substrate and a salicide structure formed on the substrate, wherein the salicide structure is for delivering heat radiation to a heat-influenced semiconductor device.
(FR)L’invention concerne une structure de chauffage au siliciure utilisable dans les dispositifs semi-conducteurs thermo-optiques et autres dispositifs influencés par la chaleur. Un mode de réalisation concerne un système qui comprend un substrat de silicium, et un élément de chauffage au siliciure formé sur le substrat, servant à fournir des rayonnement thermiques à un dispositif semi-conducteur influencé par la chaleur. Un autre mode de réalisation concerne un système semi-conducteur au siliciure qui comprend un substrat de silicium et une structure au siliciure formée sur le substrat, la structure au siliciure servant à fournir des rayonnement thermiques à un dispositif semi-conducteur influencé par la chaleur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)