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1. (WO2010025218) COMPOSITE SEMICONDUCTOR SUBSTRATES FOR THIN-FILM DEVICE LAYER TRANSFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/025218    International Application No.:    PCT/US2009/055146
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 27.08.2009
IPC:
H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street Oakland, California 94607-5200 (US) (For All Designated States Except US).
JOSHI, Monali B. [US/US]; (US) (For US Only).
GOORSKY, Mark S. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: JOSHI, Monali B.; (US).
GOORSKY, Mark S.; (US)
Agent: LIU, Cliff; Cooley LLP 777 6th Street, NW Suite 1100 Washington, DC 20001 (US)
Priority Data:
61/092,493 28.08.2008 US
Title (EN) COMPOSITE SEMICONDUCTOR SUBSTRATES FOR THIN-FILM DEVICE LAYER TRANSFER
(FR) SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS COMPOSITES POUR TRANSFERT DE COUCHE DE DISPOSITIF À FILM MINCE
Abstract: front page image
(EN)Described herein are composite semiconductor substrates for use in semiconductor device fabrication and related devices and methods. In one embodiment, a composite substrate includes: (1) a bulk silicon layer; (2) a porous silicon layer adjacent to the bulk silicon layer, wherein the porous silicon layer has a Young's modulus value that is no greater than 110.5 GPa; (3) an epitaxial template layer, wherein the epitaxial template layer has a root-mean-square surface roughness value in the range of 0.2 nm to 1 nm; and (4) a set of silicon nitride layers disposed between the porous silicon layer and the epitaxial template layer.
(FR)L'invention concerne des substrats semi-conducteurs composites destinés à être utilisés pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur et les dispositifs et procédés apparentés. Dans un mode de réalisation, un substrat composite comporte : (1) une couche de silicium massif; (2) une couche de silicium poreux adjacente à la couche de silicium massif, la couche de silicium poreux présentant une valeur de module de Young non supérieure à 110,5 GPa; (3) une couche de gabarit épitaxial, la couche de gabarit épitaxial présentant une valeur effective de rugosité superficielle dans la plage de 0,2 nm à 1 nm; et (4) un ensemble de couches de nitrure de silicium disposées entre la couche de silicium poreux et la couche de gabarit épitaxial.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)