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1. (WO2010025153) NITRIDE CRYSTAL WITH REMOVABLE SURFACE LAYER AND METHODS OF MANUFACTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/025153    International Application No.:    PCT/US2009/054952
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 25.08.2009
IPC:
B32B 1/08 (2006.01), C30B 23/00 (2006.01)
Applicants: SORAA, INC. [US/US]; 485 Pine Avenue Goleta, California 93117 (US) (For All Designated States Except US).
D'EVELYN, Mark, P. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: D'EVELYN, Mark, P.; (US)
Agent: OGAWA, Richard, T.; (US)
Priority Data:
61/091,591 25.08.2008 US
12/546,458 24.08.2009 US
Title (EN) NITRIDE CRYSTAL WITH REMOVABLE SURFACE LAYER AND METHODS OF MANUFACTURE
(FR) CRISTAL DE NITRURE À COUCHE DE SURFACE AMOVIBLE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A nitride crystal or wafer with a removable surface layer comprises a high quality nitride base crystal, a release layer, and a high quality epitaxial layer. The release layer has a large optical absorption coefficient at wavelengths where the base crystal is substantially transparent and may be etched under conditions where the nitride base crystal and the high quality epitaxial layer are not. The high quality epitaxial layer may be removed from the nitride base crystal by laser liftoff or by chemical etching after deposition of at least one epitaxial device layer. The nitride crystal with a removable surface layer is useful as a substrate for a light emitting diode, a laser diode, a transistor, a photodetector, a solar cell, or for photoelectrochemical water splitting for hydrogen generation.
(FR)Le cristal ou la plaquette de nitrure selon l’invention avec une couche de surface amovible comprend un cristal de base au nitrure de haute qualité, une couche de décollage, et une couche épitaxique de haute qualité. La couche de décollage présente un fort coefficient d’absorption optique dans les longueurs d’onde où le cristal de base est sensiblement transparent et peut être gravée dans des conditions où le cristal de base au nitrure et la couche épitaxique de haute qualité ne peuvent pas l'être. La couche épitaxique de haute qualité peut être retirée du cristal de base au nitrure par écaillage au laser ou par gravure chimique après dépôt d’au moins une couche de dispositif épitaxique. Le cristal de nitrure avec une couche de surface amovible est utile comme substrat pour une diode électroluminescente, une diode laser, un transistor, un photodétecteur, une cellule solaire, ou pour la décomposition photoélectrochimique de l’eau pour la génération d’hydrogène.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)