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1. (WO2010024988) METHODS OF FORMING A PHOTORESIST-COMPRISING PATTERN ON A SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024988    International Application No.:    PCT/US2009/051529
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 23.07.2009
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/00 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US) (For All Designated States Except US).
ZHANG, Zishu [CN/US]; (US) (For US Only).
ZHU, Hongbin [CN/US]; (US) (For US Only).
DEVILLIERS, Anton [US/US]; (US) (For US Only).
SCHRINSKY, Alex [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ZHANG, Zishu; (US).
ZHU, Hongbin; (US).
DEVILLIERS, Anton; (US).
SCHRINSKY, Alex; (US)
Agent: MATKIN, Mark, S.; (US)
Priority Data:
12/201,744 29.08.2008 US
Title (EN) METHODS OF FORMING A PHOTORESIST-COMPRISING PATTERN ON A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION D'UN MOTIF COMPRENANT DES RÉSINES PHOTOSENSIBLES SUR UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a photoresist-comprising pattern on a substrate includes forming a patterned first photoresist having spaced first masking shields in at least one cross section over a substrate. The first masking shields are exposed to a fluorine-containing plasma effective to form a hydrogen and fluorine-containing organic polymer coating about outermost surfaces of the first masking shields. A second photoresist is deposited over and in direct physical touching contact with the hydrogen and fluorine-containing organic polymer coating. The second photoresist which is in direct physical touching contact with the hydrogen and fluorine-containing organic polymer coating is exposed to a pattern of actinic energy and thereafter spaced second masking shields are formed in the one cross section which comprise the second photoresist and correspond to the actinic energy pattern. The first and second masking shields together form at least a part of a photoresist-comprising pattern on the substrate. Other embodiments are disclosed.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un motif comprenant des résines photosensibles sur un substrat. Le procédé consiste à former une première résine photosensible à motif pourvue de premiers écrans de masquage séparés dans au moins une section transversale sur un substrat. Les premiers écrans de masquage sont exposés à un plasma fluoré efficace pour former un revêtement de polymère organique contenant de l'hydrogène et du fluor autour des surfaces les plus extérieures des premiers écrans de masquage. Une seconde résine photosensible est déposée par-dessus et en contact physique direct avec le revêtement de polymère organique contenant de l'hydrogène et du fluor. La seconde résine photosensible qui est en contact physique direct avec le revêtement de polymère organique contenant de l'hydrogène et du fluor est exposée à un motif d'énergie actinique et par la suite des seconds écrans de masquage séparés sont formés dans ladite section transversale, lesquels comprennent la seconde résine photosensible et correspondent au motif de l'énergie actinique. Les premiers et seconds écrans de masquage forment ensemble au moins une partie d'un motif comprenant des résines photosensibles sur le substrat. L'invention décrit également d'autres modes de réalisation.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)