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1. (WO2010024808) DYNAMIC IMPEDANCE RECEIVER CIRCUIT FOR ULTRAFAST LOW-POWER PHOTODETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024808    International Application No.:    PCT/US2008/074492
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 27.08.2008
IPC:
H01J 40/14 (2006.01)
Applicants: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070 (US) (For All Designated States Except US).
FATTAL, David, A. [FR/US]; (US) (For US Only).
XU, Qianfan [CN/US]; (US) (For US Only).
FIORENTINO, Marco [IT/US]; (US) (For US Only).
BEAUSOLEIL, Raymond, G. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: FATTAL, David, A.; (US).
XU, Qianfan; (US).
FIORENTINO, Marco; (US).
BEAUSOLEIL, Raymond, G.; (US)
Agent: COLLINS, David; Hewlett-Packard Company Intellectual Property Administration Mail Stop 35 P.O. Box 272400 Fort Collins, Colorado 80527-2400 (US)
Priority Data:
Title (EN) DYNAMIC IMPEDANCE RECEIVER CIRCUIT FOR ULTRAFAST LOW-POWER PHOTODETECTOR
(FR) CIRCUIT RÉCEPTEUR À IMPÉDANCE DYNAMIQUE POUR DÉTECTEUR PHOTOÉLECTRIQUE ULTRA RAPIDE DE BASSE PUISSANCE
Abstract: front page image
(EN)A photodetector receiver circuit, including: a photodetector for receiving an optical signal and converting the optical signal into a current; and a dynamic impedance circuit connected to the photodetector; wherein the dynamic impedance circuit is configured to have a first impedance during a charging phase and a second impedance during a discharging phase, the first impedance comprising a slower decay time than the second impedance.
(FR)L'invention concerne un circuit récepteur à détecteur photoélectrique incluant : un détecteur photoélectrique permettant de recevoir un signal optique et de convertir le signal optique en un courant, ainsi qu’un circuit à impédance dynamique relié au détecteur photoélectrique, le circuit à impédance dynamique étant configuré pour présenter une première impédance pendant une phase de charge et une seconde impédance pendant une phase de décharge, le circuit à première impédance incluant un temps de décroissance plus lent que celui à seconde impédance.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)