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1. (WO2010024799) CMOS PIXEL SENSOR WITH DEPLETED PHOTOCOLLECTORS AND A DEPLETED COMMON NODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024799    International Application No.:    PCT/US2008/063222
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 29.08.2008
Chapter 2 Demand Filed:    04.11.2008    
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: FOVEON, INC. [US/US]; 2880 Junction Ave. San Jose, CA 95134 (US) (For All Designated States Except US).
MERRILL, Richard, B. [US/US]; (US) (For US Only).
RAMASWAMI, Shri [US/US]; (US) (For US Only).
KELLER, Glenn, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MERRILL, Richard, B.; (US).
RAMASWAMI, Shri; (US).
KELLER, Glenn, J.; (US)
Agent: D'ALESSANDRO, Kenneth; Lewis and Roca, LLP, 1663 Hwy 395, Suite 201, Minden, NV 89423 (US)
Priority Data:
Title (EN) CMOS PIXEL SENSOR WITH DEPLETED PHOTOCOLLECTORS AND A DEPLETED COMMON NODE
(FR) CAPTEUR DE PIXEL CMOS DOTÉ DE PHOTO-COLLECTEURS APPAUVRIS ET D'UN NŒUD COMMUN APPAUVRI
Abstract: front page image
(EN)An active pixel sensor in a p-type semiconductor body includes an n-type common node formed below a pinning region. A plurality of n-type blue detectors more lightly doped than the common node are disposed below pinning regions and are spaced apart from the common node forming channels below blue color-select gates. A buried green photocollector is coupled to the surface through a first deep contact spaced apart from the common node forming a channel below a green color-select gate. A red photocollector buried deeper than the green photocollector is coupled to the surface through a second deep contact spaced apart from the common node forming a channel below a red color-select gate. A reset-transistor has a source disposed over and in contact with the common node. A source-follower transistor has gate coupled to the common node, a drain coupled to a power-supply node, and a source forming a pixel- sensor output.
(FR)La présente invention concerne un capteur de pixel actif dans un corps semi-conducteur de type P, qui inclut un nœud commun de type N formé sous une région de brochage. Plusieurs détecteurs bleus de type N plus faiblement dopés que le nœud commun sont disposés sous les régions de brochage et sont éloignés du nœud commun de manière à former des canaux sous les grilles de sélection de couleur bleue. Un photo-collecteur vert enterré est couplé à la surface au moyen d'un premier contact profond éloigné du nœud commun de manière à former un canal sous une grille de sélection de couleur verte. Un photo-collecteur rouge enterré plus en profondeur que le photo-collecteur vert est couplé à la surface au moyen d'un second contact profond éloigné du nœud commun de manière à former un canal sous une grille de sélection de couleur rouge. Un transistor d'initialisation est pourvu d'une source disposée sur le nœud commun et en contact avec celui-ci. Un transistor suiveur de source est pourvu d'une grille couplée au nœud commun, d'un drain couplé à un nœud d'alimentation électrique et d'une source formant une sortie de capteur de pixel.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)