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1. (WO2010024522) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024522    International Application No.:    PCT/KR2009/003295
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 19.06.2009
IPC:
H01L 31/042 (2006.01)
Applicants: LG ELECTRONICS INC. [KR/KR]; 20 Yeouido-dong, Yeongdeungpo-gu, Seoul 150-721 (KR) (For All Designated States Except US).
CHEONG, Juhwa [KR/KR]; (KR) (For US Only).
AHN, Junyong [KR/KR]; (KR) (For US Only).
JEONG, Jiweon [KR/KR]; (KR) (For US Only).
PARK, Hyunjung [KR/KR]; (KR) (For US Only).
LEE, Seongeun [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: CHEONG, Juhwa; (KR).
AHN, Junyong; (KR).
JEONG, Jiweon; (KR).
PARK, Hyunjung; (KR).
LEE, Seongeun; (KR)
Agent: ROYAL PATENT LAW OFFICE; 1st. Floor, DOWNON Bldg. Nam-Hyun Dong 1059-11, Kwanak Gu, Seoul 151-800 (KR)
Priority Data:
10-2008-0085480 29.08.2008 KR
Title (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) PILE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A method of manufacturing a solar cell includes forming jagged portions non-uniformly on a surface of a substrate, forming a first type semiconductor and a second type semiconductor in the substrate, forming a first electrode to contact the first type semiconductor, and forming a second electrode to contact the second type semiconductor. An etchant used in a wet etching process in manufacturing the solar cell includes about 0.5 wt% to 10 wt% of HF, about 30 wt% to 60 wt% of HNO3, and up to about 30 wt% of acetic acid based on total weight of the etchant.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une pile solaire. Le procédé comprend la formation de parties irrégulières non uniformément sur une surface d’un substrat, la formation d’un semi-conducteur du premier type et d’un semi-conducteur du second type dans le substrat, la formation d’une première électrode devant entrer en contact avec le semi-conducteur du premier type, et la formation d’une seconde électrode devant entrer en contact avec le semi-conducteur du second type. Un agent de gravure utilisé dans un procédé de gravure humide dans la fabrication de la pile solaire comprend environ 0,5 % en poids à 10 % en poids de HF, environ 30 % en poids à 60 % en poids de HNO3 et jusqu’à environ 30 % en poids d’acide acétique, sur la base du poids total de l’agent de gravure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)