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1. (WO2010024411) METHOD FOR FORMING COMPOUND EPITAXIAL LAYER, COMPOUND EPITAXIAL LAYER, SEMICONDUCTOR LAMINATE STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024411    International Application No.:    PCT/JP2009/065118
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 28.08.2009
IPC:
H01L 21/203 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: KANAGAWA ACADEMY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 2-1, Sakado 3-chome, Takatsu-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2130012 (JP) (For All Designated States Except US).
THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654 (JP) (For All Designated States Except US).
MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 14-1, Shiba 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP) (For All Designated States Except US).
FUJIOKA Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HORIE Hideyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AMANAI Hidetaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAGAO Satoru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUJIOKA Hiroshi; (JP).
KOBAYASHI Atsushi; (JP).
HORIE Hideyoshi; (JP).
AMANAI Hidetaka; (JP).
NAGAO Satoru; (JP)
Agent: OGURI Shohei; (JP)
Priority Data:
2008-222149 29.08.2008 JP
2008-222150 29.08.2008 JP
2008-222151 29.08.2008 JP
Title (EN) METHOD FOR FORMING COMPOUND EPITAXIAL LAYER, COMPOUND EPITAXIAL LAYER, SEMICONDUCTOR LAMINATE STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHE ÉPITAXIALE COMPOSÉE, COUCHE ÉPITAXIALE COMPOSÉE, STRUCTURE STRATIFIÉE À SEMI-CONDUCTEURS, ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 化合物エピタキシャル層の製造方法、化合物エピタキシャル層、半導体積層構造および半導体発光デバイス
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a compound epitaxial layer.  (a) A ZnO substrate having a growth plane that makes an angle of not less than 10° with a {0001} plane is provided.  (b) All or some of the elements for compound epitaxial layer formation are intermittently supplied on the growth plane on the substrate.  The compound epitaxial layer is formed by crystal growth on the ZnO substrate by supplying the elements so that, in an intermittent supply sequence, any supply duration time Ton (sec) and the supply ceasing time Toff (sec), which is the time period between the completion of the element supply and the subsequent element supply, satisfy the following formulae: 1 × 10-6 sec ≤ Toff ≤ 1 × 10-2 sec 1 × 10-6 sec ≤ Ton ≤ 1 × 10-2 sec The method can reduce the occurrence of droplets, which lower the yield of the epitaxial layer and, at the same time, can form a compound epitaxial layer having good crystallinity.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d’une couche épitaxiale composée, comprenant les étapes suivantes : (a) un substrat ZnO présentant un plan de croissance formant un angle égal ou supérieur à 10° avec un {0001} plan est prévu; (b) la totalité ou une partie des éléments pour la formation de la couche épitaxiale composée sont alimentés de façon intermittente sur la plan de croissance du substrat. Dans ce cas, la couche épitaxiale composée est formée par la croissance de cristaux sur le substrat ZnO par l’alimentation des éléments de sorte que, lors d’une séquence d’alimentation intermittente, un temps de durée arbitraire d’alimentation Ton (sec) et un temps d’arrêt d’alimentation Toff (sec) qui est une période entre la fin de l’alimentation d’éléments et l’alimentation ultérieure d’éléments satisfont les formules suivantes : 1 × 10-6 sec ≤ Toff ≤ 1 × 10-2 sec; 1 × 10-6 sec ≤ Ton ≤ 1 × 10-2 sec. Le procédé peut réduire l’apparition de gouttelettes qui abaisse le rendement de la couche épitaxiale et, en même temps, peut former une couche épitaxiale composée présentant une bonne cristallinité.
(JA) (a)ZnO基板の成長面が、{0001}面となす角度が10°以上であり、(b)化合物エピタキシャル層を形成するための元素の全て、または一部を、基板上の成長面に間欠的に供給し、その際に、間欠的な供給シーケンスにおける任意の供給継続時間Ton(sec)と、次の元素供給までの供給休止時間Toff(sec)が、   1×10-6 sec ≦ Toff ≦ 1×10-2 sec     1×10-6 sec ≦ Ton ≦ 1×10-2 sec を満たすように供給してZnO基板上に化合物エピタキシャル層を結晶成長する。この方法により、製造歩留まりを低下させるドロップレットの発生が低減され、同時に良好な結晶性を有する化合物エピタキシャル層が製造される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)