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1. (WO2010024404) ABRASIVE COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024404    International Application No.:    PCT/JP2009/065103
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 28.08.2009
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
Applicants: Asahi Glass Company, Limited. [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (For All Designated States Except US).
YOSHIDA Iori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAMIYA Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YOSHIDA Iori; (JP).
KAMIYA Hiroyuki; (JP)
Agent: OGURI Shohei; (JP)
Priority Data:
2008-218944 28.08.2008 JP
2008-267450 16.10.2008 JP
Title (EN) ABRASIVE COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) COMPOSITION ABRASIVE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 研磨用組成物および半導体集積回路装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)An abrasive composition which is used during the pattern formation wherein buried copper wiring and insulating layers are alternately formed by grinding each copper layer formed on each insulating layer via a barrier layer, specifically in a process wherein each copper layer is ground until the barrier layer adjacent thereto is exposed.  The abrasive composition contains a dodecylbenzenesulfonic acid component, and at least one planarity-improving agent selected from the group consisting of an alkenyl succinic acid component, a polyoxyethylene alkyl ether carboxylic acid component and a polyoxyethylene alkyl ether phosphoric acid component.
(FR)La présente invention concerne une composition abrasive qui est utilisée lors de la formation de motifs lors de laquelle un câblage de cuivre enterré et des couches isolantes sont formés en alternance par le ponçage de chaque couche de cuivre formée sur la couche isolante à travers une couche barrière, en particulier dans un procédé selon lequel chaque couche de cuivre est poncée jusqu’à l’exposition de la couche barrière adjacente. La composition abrasive contient un constituant d’acide dodécylbenzène sulfonique, et au moins un agent d’amélioration de planarité choisie parmi le groupe constitué d’un constituant d’acide succinique d’alcényle, d’un constituant d’acide alkyle éther carboxylique de polyoxyéthylène et d’un constituant d’acide ester alkyle phosphorique de polyoxyéthylène.
(JA) 本発明は、絶縁層上にバリア層を介して設けられた銅層を研磨して、銅埋め込み配線と絶縁層とを交互に形成するパターン形成において、前記銅層に隣接した前記バリア層が露出するまで研磨する工程に用いられる研磨用組成物であって、ドデシルベンゼンスルホン酸成分と、アルケニルコハク酸成分、ポリオキシエチレンアルキルエーテルカルボン酸成分およびポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸成分からなる群から選ばれる少なくとも一つの平坦性向上剤とを含む、研磨用組成物に関する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)