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Pub. No.:    WO/2010/024324    International Application No.:    PCT/JP2009/064946
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 27.08.2009
G01R 31/302 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (For All Designated States Except US).
OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP) (For All Designated States Except US).
RIKEN [JP/JP]; 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama 3510198 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUMOTO Toru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AOKI Yoshimitsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TONOUCHI Masayoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MURAKAMI Hironaru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIM Sunmi [KR/JP]; (JP) (For US Only).
YAMASHITA Masatsugu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OTANI Chiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MATSUMOTO Toru; (JP).
AOKI Yoshimitsu; (JP).
TONOUCHI Masayoshi; (JP).
MURAKAMI Hironaru; (JP).
KIM Sunmi; (JP).
YAMASHITA Masatsugu; (JP).
OTANI Chiko; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2008-223612 01.09.2008 JP
(JA) 半導体検査装置及び検査方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device (S) is inspected in a zero-bias state using electromagnetic waves generated by the irradiation of a pulsed laser light, an inspection range is set by referencing layout information for the semiconductor device (S), and two-dimensional scanning is performed by means of an inspection light (L1) of the pulsed laser light within the range. In addition, with the inspection range for the semiconductor device (S) set at a prescribed position with respect to the light axis of an optical system, and with a solid immersion lens (36) disposed with respect to the semiconductor device (S), a galvanometer scanner (30), which is an inspection means, two-dimensionally scans the inspection range of the semiconductor device (S) via the solid immersion lens (36) by means of the inspection light (L1), and electromagnetic waves emitted from the semiconductor device (S) are detected by a photoconductive element (40). Thus, a semiconductor inspection device and inspection method capable of suitably inspecting a semiconductor device in a zero-bias state are achieved.
(FR)Un dispositif semi-conducteur (S) est inspecté dans un état de polarisation zéro en utilisant des ondes électromagnétiques générées par le rayonnement d'une lumière laser pulsée, une plage d'inspection est fixée en faisant référence aux informations de configuration du dispositif semi-conducteur (S), et un balayage bidimensionnel est effectué au moyen d'une lumière d'inspection (L1) de la lumière laser pulsée dans la plage. De plus, la plage d'inspection pour le dispositif semi-conducteur (S) étant fixée en une position prescrite par rapport à l'axe lumineux d'un système optique, et une lentille à immersion solide (36) étant disposée par rapport au dispositif semi-conducteur (S), un scanner à galvanomètre (30), qui représente un moyen d'inspection, balaye de façon bidimensionnelle la plage d'inspection du dispositif semi-conducteur (S) via la lentille à immersion solide (36) au moyen de la lumière d'inspection (L1), et les ondes électromagnétiques émises depuis le dispositif semi-conducteur (S) sont détectées par un élément photoconducteur (40). Ainsi, un dispositif d'inspection de semi-conducteurs et un procédé d'inspection pouvant inspecter de façon appropriée un dispositif semi-conducteur dans un état de polarisation zéro sont obtenus.
(JA) 半導体デバイスSに対し、パルスレーザ光の照射によって発生する電磁波を利用して無バイアス状態で検査を行うとともに、半導体デバイスSのレイアウト情報を参照して検査範囲を設定し、その範囲内でパルスレーザ光の検査光L1による2次元走査を行う。また、半導体デバイスSの検査範囲を光学系の光軸に対して所定位置に配置し、半導体デバイスSに対して固浸レンズ36を設置した状態で、走査手段であるガルバノメータスキャナ30により、固浸レンズ36を介して半導体デバイスSの検査範囲内を検査光L1によって2次元走査するとともに、半導体デバイスSから出射された電磁波を光伝導素子40で検出する。これにより、半導体デバイスに対して無バイアス状態での検査を好適に行うことが可能な半導体検査装置及び検査方法が実現される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)