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1. (WO2010024301) SILICON-BASED BLUE-GREEN PHOSPHORESCENT MATERIAL OF WHICH LUMINESCENCE PEAK CAN BE CONTROLLED BY EXCITATION WAVELENGTH AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON-BASED BLUE-GREEN PHOSPHORESCENT MATERIAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024301    International Application No.:    PCT/JP2009/064890
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 26.08.2009
Chapter 2 Demand Filed:    30.06.2010    
IPC:
C09K 11/08 (2006.01), C09K 11/00 (2006.01), C09K 11/59 (2006.01)
Applicants: National University Corporation Tokyo University of Agriculture and Technology [JP/JP]; 3-8-1, Harumi-cho, Fuchu-shi, Tokyo 1838538 (JP) (For All Designated States Except US).
KOSHIDA Nobuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
GELLOZ Bernard [FR/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOSHIDA Nobuyoshi; (JP).
GELLOZ Bernard; (JP)
Agent: NISHIZAWA Toshio; Kudan-Horie Bldg. 6F 3-14, Kudan-kita 4-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1020073 (JP)
Priority Data:
2008-223583 01.09.2008 JP
Title (EN) SILICON-BASED BLUE-GREEN PHOSPHORESCENT MATERIAL OF WHICH LUMINESCENCE PEAK CAN BE CONTROLLED BY EXCITATION WAVELENGTH AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON-BASED BLUE-GREEN PHOSPHORESCENT MATERIAL
(FR) MATÉRIAU À PHOSPHORESCENCE BLEU-VERT À BASE DE SILICIUM DONT LE PIC DE LUMINESCENCE PEUT ÊTRE RÉGULÉ PAR LA LONGUEUR D'ONDE D'EXCITATION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DU MATÉRIAU À PHOSPHORESCENCE BLEU-VERT À BASE DE SILICIUM
(JA) 励起波長により発光ピーク制御可能なシリコン系青色-緑色燐光材料及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a silicon-based blue phosphorescent material that has a longer luminescence service life, a high luminescence intensity, and excellent long-term stability and reproducibility.  Also disclosed is a process for producing a silicon-based blue-green phosphorescent material of which the luminescence peak can be controlled by an excitation wavelength.  The process is characterized by comprising a first step of anodizing the surface of silicon to prepare silicon having nano-scale crystallinity or silicon having nano-structure, a second step of subjecting the silicon to rapid thermal oxidation, and a third step of subjecting the silicon to high-pressure water vapor annealing.  The silicon-based blue-green phosphorescent is characterized by comprising a silicon oxide film and a number of silicon having nano-scale crystallinity or silicon having nano-structure embedded in the silicon oxide film, the silicon-based blue-green phosphorescent material having molecular energy inter-order transition properties through triplet excitons having a relaxation time of not less than 1 ms, or luminescence transition through a quasi-stable excited state or trap having a relaxation time of not less than 1 ms.
(FR)L'invention concerne un matériau à phosphorescence bleu-vert à base de silicium dont la durée de vie en termes de luminescence est plus longue, l'intensité de luminescence est élevée et la stabilité à long terme et la reproductibilité sont excellentes. Elle concerne également un procédé de production d'un matériau à phosphorescence bleu-vert à base de silicium dont le pic de luminescence peut être régulé par une longueur d'onde d'excitation. Le procédé se caractérise par une première étape d'anodisation de la surface de silicium afin de préparer un silicium présentant une cristallinité à l'échelle du nanomètre ou un silicium présentant une nanostructure, une deuxième étape de soumission du silicium à une oxydation thermique rapide, et une troisième étape de soumission du silicium à un recuit à la vapeur d'eau à haute pression. Le matériau à phosphorescence bleu-vert à base de silicium se caractérise en ce qu'il comprend un film d'oxyde de silicium et une proportion de silicium présentant une cristallinité à l'échelle du nanomètre ou de silicium présentant une nanostructure inclut dans le film d'oxyde de silicium, le matériau à phosphorescence bleu-vert à base de silicium ayant des propriétés de transition interordre d'énergie moléculaire par excitons triplets dont le temps de relaxation est supérieur ou égal à 1 ms ou une transition de luminescence par un état excité quasi-stable ou piège dont le temps de relaxation est supérieur ou égal à 1 ms.
(JA) より発光寿命が長く、発光強度が大きく、長期安定性、再現性がすぐれたシリコン系青色燐光材料を提供する。 シリコンの表面を陽極酸化させてナノ結晶シリコンまたはナノ構造シリコンを作製する第1の工程と、そのシリコンに対して急速熱酸化処理を施す第2の工程と、さらにそのシリコンに対して高圧水蒸気アニールを施す第3の工程からなることを特徴とする、励起波長により制御可能なシリコン系青色-緑色燐光材料の製造方法。さらに、酸化シリコン膜に多数のナノスケールの結晶シリコンまたはナノ構造シリコンが埋め込まれた膜からなり、緩和時間が1ms以上の三重項励子が介在した分子的エネルギー順位間の遷移特性、または緩和時間が1ms以上の準安定励起状態やトラップを介した発光遷移、を有することを特徴とする、励起波長により制御可能なシリコン系青色-緑色燐光材料。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)