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Pub. No.:    WO/2010/024279    International Application No.:    PCT/JP2009/064842
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 26.08.2009
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (For All Designated States Except US).
KURATA, Takaomi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIYOTA, Junya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARAI, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKAMATSU, Yasuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASARI, Shin [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HASHIMOTO, Masanori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATO, Shigemitsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIKUCHI, Masashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KURATA, Takaomi; (JP).
KIYOTA, Junya; (JP).
ARAI, Makoto; (JP).
AKAMATSU, Yasuhiko; (JP).
ASARI, Shin; (JP).
HASHIMOTO, Masanori; (JP).
SATO, Shigemitsu; (JP).
KIKUCHI, Masashi; (JP)
Agent: OMORI, Junichi; (JP)
Priority Data:
2008-222233 29.08.2008 JP
(JA) 電界効果型トランジスタの製造方法及び製造装置
Abstract: front page image
(EN)Provided are a method for manufacturing a field-effect transistor by which an active layer can be protected from an etchant without being exposed to an air atmosphere, and a device for manufacturing same. A method for manufacturing a field-effect transistor comprises a step of forming an active layer (15) (IGZO film (15F)) of In-Ga-Zn-O based composition on a base material (10) by a sputtering method, a step of forming, on the active layer, a stopper layer (16) (stopper layer forming film (16F)) for protecting the active layer from an etchant for the active layer by the sputtering method, and a step of etching the active layer with the stopper layer as a mask.  By depositing the stopper layer by the sputtering method, the stopper layer can be formed without exposing the active layer to the air after the active layer is deposited.  Consequently, film quality degradation caused by the adhesion of water and impurities in the air to the surface of the active layer can be prevented.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ. Selon ce procédé, une couche active peut être protégée d'un agent de gravure sans être exposée à l’air ambiant. La présente invention concerne également un dispositif permettant de fabriquer ce transistor. Un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ comprend une étape consistant à réaliser une couche active (15) (film IGZO (15F)) ayant une composition à base de In-Ga-Zn-O, sur un matériau de base (10), en utilisant un procédé de pulvérisation. Le procédé comprend également une étape consistant à réaliser, sur la couche active, une couche tampon (16) (film de formation de couche tampon (16F)) qui a pour fonction de protéger la couche active d'un agent de gravure utilisé pour réaliser la couche active selon le procédé de pulvérisation. Le procédé comprend en outre une étape consistant à graver la couche active, en utilisant la couche tampon comme masque. En déposant la couche tampon selon le procédé de pulvérisation, il est possible de réaliser la couche tampon sans exposer la couche active à l'air ambiant après que la couche active a été déposée. Il est donc ainsi possible de prévenir une dégradation de la qualité du film, occasionnée par l'adhérence d'eau et d'impuretés contenues dans l'air à la surface de la couche active.
(JA)【課題】大気雰囲気に曝すことなくエッチャントから活性層を保護することができる電界効果型トランジスタの製造方法及びその製造装置を提供する。 【解決手段】本発明の一形態に係る電界効果型トランジスタの製造方法は、基材10の上に、In-Ga-Zn-O系組成を有する活性層15(IGZO膜15F)をスパッタリング法によって形成する工程と、活性層の上に、前記活性層に対するエッチャントから活性層を保護するストッパ層16(ストッパ層形成膜16F)をスパッタリング法によって形成する工程と、前記ストッパ層をマスクとして活性層をエッチングする工程とを含む。ストッパ層をスパッタリング法で成膜することで、活性層の成膜後、活性層を大気に曝すことなくストッパ層を形成することが可能となる。これにより、活性層の表面への大気中の水分や不純物の付着に起因する膜質の劣化を防止することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)