WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010024240) BIPOLAR SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024240    International Application No.:    PCT/JP2009/064770
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 25.08.2009
IPC:
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/73 (2006.01)
Applicants: HONDA MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Minami-Aoyama 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1078556 (JP) (For All Designated States Except US).
NONAKA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NONAKA, Kenichi; (JP)
Agent: SHIMODA, Yo-ichiro; (JP)
Priority Data:
2008-217386 26.08.2008 JP
Title (EN) BIPOLAR SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM BIPOLAIRE
(JA) バイポーラ型炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a bipolar silicon carbide semiconductor device which is a BJT having a four-layered structure and achieves an improved current amplification factor and a small and stable base resistance by reducing the probability of recombination of electrons and holes and thereby suppressing recombination between a main current and a control current.  The semiconductor device comprises a recombination suppression region (16) having the same conductivity type as and a higher resistivity than a base region (15) or a recombination suppression region (16) having the same conductivity type as and a higher resistivity than an emitter region (12), which is formed near the surface between a base contact region (13) and the emitter region (12).
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur en carbure de silicium bipolaire qui est un BJT comportant une structure à quatre couches et qui obtient un facteur d’amplification de courant amélioré et une résistance de base faible et stable par la réduction de la probabilité d’une recombinaison d’électrons et de trous et, de ce fait, qui supprime la recombinaison entre un courant principal et un courant de commande. Le dispositif semi-conducteur comprend une région de suppression de recombinaison (16) présentant le même type de conductivité qu’une région de base (15) et une résistivité supérieure à celle-ci ou une région de suppression de recombinaison (16) ayant le même type de conductivité qu’une région d’émetteur (12) et une résistivité supérieure à celle-ci, qui est formée près de la surface entre une région de contact de base (13) et la région d’émetteur (12).
(JA) 4層構造を有するBJTで、電子と正孔の再結合確率を低減し、主電流と制御電流との間の再結合を抑制し、電流増幅率を向上でき、小さく安定したベース抵抗を実現できるバイポーラ型炭化珪素半導体装置が開示される。該半導体装置は、ベースコンタクト領域(13)とエミッタ領域(12)との間の表面付近に形成され、ベース領域(15)と同じ導電型でありかつその抵抗率よりも高い再結合抑制領域(16)、またはエミッタ領域(12)と同じ導電型でありかつその抵抗率よりも高い再結合抑制領域(16)を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)