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1. (WO2010024238) RESIN COMPOSITION, GATE INSULATING LAYER AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024238    International Application No.:    PCT/JP2009/064768
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 25.08.2009
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), C08F 212/14 (2006.01), C08F 220/22 (2006.01), C08L 101/02 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (For All Designated States Except US).
YAHAGI, Isao [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAHAGI, Isao; (JP)
Agent: TANAKA, Mitsuo; (JP)
Priority Data:
2008-219846 28.08.2008 JP
2009-027625 09.02.2009 JP
2009-168912 17.07.2009 JP
Title (EN) RESIN COMPOSITION, GATE INSULATING LAYER AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE, COUCHE D’ISOLATION DE GRILLE ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES ORGANIQUES
(JA) 樹脂組成物、ゲート絶縁層及び有機薄膜トランジスタ
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an organic thin film transistor having a low hysteresis.  Also disclosed is a resin composition for gate insulating layers of organic thin film transistors, which contains (A) a polymer compound containing at least one kind of a repeating unit selected from the group consisting of repeating units represented by general formula (1) and repeating units represented by general formula (2), and having two or more first functional groups in each molecule, each of said first functional groups forming a second functional group reactive with active hydrogen by the action of an electromagnetic wave or heat, and (B) at least one kind of a compound selected from the group consisting of low-molecular-weight compounds having two or more active hydrogen atoms in each molecule and polymer compounds having two or more active hydrogen atoms in each molecule.
(FR)La présente invention concerne un transistor à couches minces organiques présentant une faible hystérésis. L’invention concerne également une composition de résine pour des couches d’isolation de grille de transistors à couches minces organiques, la composition contenant (A) un composé polymère contenant au moins un type d’un motif de répétition choisi dans le groupe consistant en des motifs de répétition représentés par la formule générale (1) et des motifs de répétition représentés par la formule générale (2), et comportant deux premiers groupes fonctionnels ou plus dans chaque molécule, chacun desdits premiers groupes fonctionnels formant un second groupe fonctionnel réactif avec de l’hydrogène actif par l’action d’une onde électromagnétique ou de chaleur, et (B) au moins un type d’un composé choisi dans le groupe consistant en des composés de faible poids moléculaire comportant deux atomes d’hydrogène actif ou plus dans chaque molécule et des composés polymères comportant deux atomes d’hydrogène actif ou plus dans chaque molécule.
(JA) 本発明の課題は、ヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを提供することである。課題の解決手段は、(A)一般式(1)で表される繰り返し単位及び一般式(2)で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を含有し、かつ、分子内に第1の官能基を2つ以上含有する高分子化合物であって、該第1の官能基が、電磁波もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である高分子化合物と、(B)分子内に活性水素を2つ以上含有する低分子化合物及び分子内に活性水素を2つ以上含有する高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物とを、含有する有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)