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1. (WO2010024161) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024161    International Application No.:    PCT/JP2009/064498
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 19.08.2009
IPC:
G09F 9/30 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01), G09G 3/20 (2006.01), G09G 3/36 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
MORIMOTO, Takashi; (For US Only).
HIRATA, Mitsuaki; (For US Only)
Inventors: MORIMOTO, Takashi; .
HIRATA, Mitsuaki;
Agent: SHIMADA, Akihiro; (JP)
Priority Data:
2008-219589 28.08.2008 JP
Title (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE L'UTILISANT
(JA) アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置
Abstract: front page image
(EN)An anode is connected to a conductive plate (140) formed to cover a TFT (120) in a pixel forming section (110), and a diode (130) wherein a cathode is connected to an image signal line is arranged.  When the potential of an image signal transmitted to the image signal line is lower than that of the conductive plate (140), a current flows in the diode (130) and the potential of the conductive plate (140) becomes equivalent to that of the image signal line.  When the potential of the image signal is higher than that of the conductive plate (140), since a current does not flow, the potential of the diode (130) is held with no change.  As a result, the potential of the conductive plate (140) is clamped at the lowest potential among the potentials of the image signals.  Therefore, when the TFT (120) is in the off-state, a leak current flowing from a pixel electrode (Ep) in the pixel forming section (110) to the image signal line is suppressed.  Thus an active matrix substrate wherein, a change of the off-characteristics of the TFT is suppressed even when a conductive time is long is provided.
(FR)Selon l'invention, une anode est reliée à une plaque conductrice (140), réalisée de façon à recouvrir un TFT (120) dans une section de formation de pixels (110), et à une diode (130), une cathode étant reliée à une ligne d'acheminement de signaux d'image. Lorsque le potentiel d'un signal d'image transmis à la ligne d'acheminement de signaux d'image est inférieur à celui de la plaque conductrice (140), un courant circule dans la diode (130) et le potentiel de la plaque conductrice (140) devient équivalent à celui de la ligne d'acheminement de signaux d'image. Lorsque le potentiel de la ligne d'acheminement de signaux d'image est supérieur à celui de la plaque conductrice (140), comme un courant ne circule pas, le potentiel de la diode (130) reste inchangé. En conséquence, le potentiel de la plaque conductrice (140) se fixe sur le potentiel le plus bas parmi les potentiels des signaux d'image. Dans ces conditions, lorsque le TFT (120) est à l'état désactivé, un courant de fuite, qui circule depuis une électrode de pixel (Ep) jusqu'à la ligne d'acheminement de signaux d'image en passant au travers de la section de formation de pixels (110), est supprimé. Dans le substrat de matrice active selon l'invention, un changement de la caractéristique d'état désactivé du TFT est supprimé même lorsqu'une durée de conduction est prolongée.
(JA) 画素形成部(110)のTFT(120)を覆うように形成された導電板(140)にアノードが接続され、映像信号線にカソードが接続されたダイオード(130)が設けられている。このため、映像信号線に与えられた映像信号の電位が導電板(140)の電位よりも低いとき、ダイオード(130)に電流が流れ、導電板(140)の電位が映像信号線の電位に等しくなる。一方、映像信号の電位が導電板(140)の電位よりも高いときには、電流は流れないので、ダイオード(130)の電位はそのまま保持される。その結果、導電板(140)の電位は、映像信号の電位のうち最も低い電位にクランプされる。このため、TFT(120)がオフ状態のときに、画素形成部(110)の画素電極Epから映像信号線に流れるリーク電流が抑制される。これにより、通電時間が長くなってもTFTのオフ特性の変化を抑制できるアクティブマトリクス基板を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)