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1. (WO2010024093) SOLUTION FOR REMOVAL OF RESIDUE AFTER SEMICONDUCTOR DRY PROCESSING AND RESIDUE REMOVAL METHOD USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024093    International Application No.:    PCT/JP2009/063774
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 04.08.2009
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: DAIKIN INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; Umeda Center Building, 4-12, Nakazaki-Nishi 2-Chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308323 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAMURA, Shingo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAMURA, Shingo; (JP)
Agent: Saegusa & Partners; Kitahama TNK Building, 1-7-1, Doshomachi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410045 (JP)
Priority Data:
2008-214844 25.08.2008 JP
Title (EN) SOLUTION FOR REMOVAL OF RESIDUE AFTER SEMICONDUCTOR DRY PROCESSING AND RESIDUE REMOVAL METHOD USING SAME
(FR) SOLUTION POUR L’ÉLIMINATION D’UN RÉSIDU APRÈS UN TRAITEMENT À SEC D’UN SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ D’ÉLIMINATION DE RÉSIDU L’UTILISANT
(JA) 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a chemical solution that can remove a residue completely in a short time after a dry processing while preventing the cracking or roughening of a Cu surface by keeping a thin film that is damaged during the dry processing on the Cu surface by inhibiting Cu corrosion, and that results in less damage to a Low-k film than ever. More specifically, disclosed is a solution for removal of a residue after a dry processing that comprises an amine salt of a monocarbonic acid and/or copper, a polycarboxylate that forms a chelate containing seven membered rings or greater, and water, and the solution for removal of a residue consists of (A) or (B): (A) An aqueous solution comprising (1) a Brensted acid with a pKa of 3 or greater at 25°C, (2) an amine salt of a monocarbonic acid, and/or (3) at least one kind selected from a group consisting of an ammonium salt of a polycarboxylic acid that forms a chelate containing seven membered rings or greater with copper, an amine salt, and a quarternized ammonium salt, and (4) water, wherein the pH of said aqueous solution is equal to or lower than the pKa of the monocarbonic acid at 25°C. (B) An aqueous solution comprising (5) an amine salt of a monocarbonic acid, and/or (6) an amine salt of a polycarbonic acid that forms a chelate containing seven membered rings or greater with copper, and (7) water, wherein the pH of said aqueous solution is equal to or higher than the pKa of the monocarbonic acid at 25°C.
(FR)La présente invention concerne une solution chimique qui peut éliminer entièrement un résidu en peu de temps après un traitement à sec, tout en évitant l’apparition de fissures ou d’une rugosité d’une surface en Cu, par le maintien d’une couche mince qui est endommagée pendant le traitement à sec sur la surface en Cu par l’inhibition de la corrosion du Cu, et qui a pour résultat une réduction plus importante qu’auparavant des dommages causés à un film à faible k. Plus particulièrement, l’invention concerne une solution pour l’élimination d’un résidu après un traitement à sec, la solution comprenant un sel aminé d’un acide monocarbonique et/ou du cuivre, un polycarboxylate qui forme un chélate contenant des cycles à sept éléments ou plus, et de l’eau. La solution pour l’élimination d’un résidu comprend (A) ou (B) : (A) Solution aqueuse comprenant (1) un acide de Brensted présentant un pKa de 3 ou plus à 25 °C, (2) un sel aminé d’un acide monocarbonique et/ou (3) au moins une espèce sélectionnée dans un groupe consistant en un sel d’ammonium d’un acide polycarboxylique qui forme un chélate contenant des cycles à sept éléments ou plus avec du cuivre, un sel aminé et un sel d’ammonium quaternisé, et (4) de l’eau, le pH de ladite solution aqueuse étant inférieur ou égal au pKa de l’acide monocarbonique à 25 °C. (B) Solution aqueuse comprenant (5) un sel d’amine d’un acide monocarbonique et/ou (6) un sel d’amine d’un acide polycarbonique qui forme un chélate contenant des cycles à sept éléments ou plus avec du cuivre, et (7) de l’eau, le pH de ladite solution aqueuse étant supérieur ou égal au pKa de l’acide monocarbonique à 25 °C.
(JA) 本発明は、従来にも増して、Low-k膜へのダメージが少なく、Cuの腐食を抑制して、Cu表面に存在するドライプロセスでダメージを受けて形成された薄膜を除去せずに残すことにより、Cu表面の亀裂や表面荒れがない、ドライプロセス後の残渣を短時間で完全に除去できる薬液を提供する。具体的には、モノカルボン酸のアミン塩、及び/又は、銅と7員環以上のキレートを形成するポリカルボン酸塩と水を含むライプロセス後の残渣除去液であって、下記(A)又は(B)からなる残渣除去液に関する: (A)(1)25℃でのpKaが3以上であるブレンステッド酸、(2)モノカルボン酸のアミン塩、及び/又は(3)銅と7員環以上のキレートを形成するポリカルボン酸のアンモニウム塩、アミン塩及び四級アンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種、並びに(4)水からなる水溶液であり、該水溶液のpHが、該モノカルボン酸の25℃でのpKa以下等である、 (B)(5)モノカルボン酸のアミン塩、及び/又は(6)銅と7員環以上のキレートを形成するポリカルボン酸のアミン塩、並びに(7)水からなる水溶液であり、該水溶液のpHが、該モノカルボン酸の25℃でのpKa以上等である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)