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1. (WO2010024037) METHOD FOR FORMING AMORPHOUS CARBON NITRIDE FILM, AMORPHOUS CARBON NITRIDE FILM, MULTILAYER RESIST FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND STORAGE MEDIUM IN WHICH CONTROL PROGRAM IS STORED
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/024037    International Application No.:    PCT/JP2009/061907
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 30.06.2009
IPC:
C23C 16/36 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (For All Designated States Except US).
ISHIKAWA, Hiraku [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIMURA, Eiichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ISHIKAWA, Hiraku; (JP).
NISHIMURA, Eiichi; (JP)
Agent: KAMEYA, Yoshiaki; (JP)
Priority Data:
2008-219359 28.08.2008 JP
Title (EN) METHOD FOR FORMING AMORPHOUS CARBON NITRIDE FILM, AMORPHOUS CARBON NITRIDE FILM, MULTILAYER RESIST FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND STORAGE MEDIUM IN WHICH CONTROL PROGRAM IS STORED
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D’UNE PELLICULE DE NITRURE DE CARBONE AMORPHE, PELLICULE DE NITRURE DE CARBONE AMORPHE, PELLICULE PROTECTRICE MULTICOUCHE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT DANS LEQUEL LE PROGRAMME DE COMMANDE EST ENREGISTRÉ
(JA) アモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法、アモルファスカーボンナイトライド膜、多層レジスト膜、半導体装置の製造方法および制御プログラムが記憶された記憶媒体
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an amorphous carbon nitride film having excellent etching resistance, wherein the reflectance can be decreased when a resist film is exposed.  Also disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of forming an object film to be etched on a wafer, a step of supplying a process gas containing a CO gas and an N2 gas into a process chamber, a step of forming an amorphous carbon nitride film (330) from the supplied CO gas and N2 gas, a step of forming a silicon oxide film (335) on the film (330), a step of forming an ArF resist film (345) on the film (335), a step of patterning the ArF resist film (345), a step of etching the silicon oxide film (335) using the ArF resist film (345) as a mask, a step of etching the amorphous carbon nitride film (330) using the silicon oxide film (335) as a mask, and a step of etching the object film to be etched using the amorphous carbon nitride film (330) as a mask.
(FR)L’invention concerne une pellicule de nitrure de carbone amorphe présentant une excellente résistance à la gravure, le facteur de réflexion énergétique pouvant être réduit lorsqu’une pellicule protectrice est exposée.  L’invention concerne aussi un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur, qui comprend des étapes consistant à former une pellicule objet à graver sur une plaquette, à injecter un gaz de traitement contenant du CO gazeux et du N2 gazeux dans une chambre de traitement, à former une pellicule de nitrure de carbone amorphe (330) à partir du CO gazeux et du N2 gazeux injectés, à former une pellicule d’oxyde de silicium (335) sur la pellicule (330), à former une pellicule protectrice d’ArF (345) sur la pellicule (335), à tracer un motif sur la pellicule protectrice d’ArF (345), à graver la pellicule d’oxyde de silicium (335) en utilisant la pellicule protectrice d’ArF (345) comme un masque, à graver la pellicule de nitrure de carbone amorphe (330) en utilisant la pellicule d’oxyde de silicium (335) comme un masque, et à graver la pellicule objet à graver en utilisant la pellicule de nitrure de carbone amorphe (330) comme un masque.
(JA) エッチング耐性に優れ、かつレジスト膜の露光時、反射率の低下が可能なアモルファスカーボン膜を形成する。半導体装置の製造方法では、ウエハ上にエッチング対象膜を形成する工程、処理容器内にCOガス及びN2ガスを含む処理ガスを供給する工程、供給されたCOガス及びN2ガスからアモルファスカーボンナイトライド膜330を成膜する工程、膜330上に酸化シリコン膜335を形成する工程、膜335上にArFレジスト膜345を形成する工程、ArFレジスト膜345をパターニングする工程、ArFレジスト膜345をマスクとして酸化シリコン膜335をエッチングする工程、酸化シリコン膜335をマスクとしてアモルファスカーボンナイトライド膜330をエッチングする工程、アモルファスカーボンナイトライド膜330をマスクとしてエッチング対象膜をエッチングする工程を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)