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1. (WO2010023948) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE MANUFACTURING METHOD, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE MANUFACTURING SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/023948    International Application No.:    PCT/JP2009/004232
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 28.08.2009
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: ULVAC, Inc. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (For All Designated States Except US).
ASAHINA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UCHIDA, Hiroto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASARI, Shin [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HASHIMOTO, Masanori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUJINAGA, Tetsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Tadamasa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WAKAI, Masafumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IMAKITA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UE, Yoshinobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAITO, Kazuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAMURA, Kyuzo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ASAHINA, Shinichi; (JP).
UCHIDA, Hiroto; (JP).
ASARI, Shin; (JP).
HASHIMOTO, Masanori; (JP).
FUJINAGA, Tetsushi; (JP).
KOBAYASHI, Tadamasa; (JP).
WAKAI, Masafumi; (JP).
IMAKITA, Kenichi; (JP).
UE, Yoshinobu; (JP).
SAITO, Kazuya; (JP).
NAKAMURA, Kyuzo; (JP)
Agent: SHIGA, Masatake; (JP)
Priority Data:
2008-222818 29.08.2008 JP
PCT/JP2009/057976 22.04.2009 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE MANUFACTURING METHOD, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE MANUFACTURING SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, ET SYSTÈME DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置の製造方法、光電変換装置、及び光電変換装置の製造システム
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a photoelectric conversion device manufacturing method whereby a first p-type semiconductor layer (31), a first i-type semiconductor layer (32) and a first n-type semiconductor layer (33) which configure a first photoelectric conversion unit (3), and a second p-type semiconductor layer (41) which configures a second photoelectric conversion unit (4) are respectively formed consecutively in a different reduced-pressure chamber; the second p-type semiconductor layer (41) is exposed to the atmosphere; and a second i-type semiconductor layer (42) and a second n-type semiconductor layer (43) which configure the second photoelectric conversion unit are formed in the same reduced-pressure chamber on the p-type semiconductor layer (41) of the second photoelectric conversion unit (4) which has been exposed to the atmosphere.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif de conversion photoélectrique selon lequel une première couche semi-conductrice de type p (31), une première couche semi-conductrice de type i (32) et une première couche semi-conductrice de type n (33) qui configurent une première unité de conversion photoélectrique (3), et une seconde couche semi-conductrice de type p (41) qui configure une seconde unité de conversion photoélectrique (4) sont respectivement formées consécutivement dans une chambre à pression réduite différente ; la seconde couche semi-conductrice de type p (41) est exposée à l’atmosphère ; et une seconde couche semi-conductrice de type i (42) et une seconde couche semi-conductrice de type n (43) qui configurent la seconde unité de conversion photoélectrique sont formées dans la même chambre à pression réduite sur la couche semi-conductrice de type p (41) de la seconde unité de conversion photoélectrique (4) qui a été exposée à l’atmosphère.
(JA) この光電変換装置の製造方法は、第一光電変換ユニット(3)を構成する第1のp型半導体層(31)、第1のi型半導体層(32)、及び第1のn型半導体層(33)と、第二光電変換ユニット(4)を構成する第2のp型半導体層(41)とをそれぞれ異なる減圧室内で連続して形成し、前記第2のp型半導体層(41)を大気雰囲気に暴露させ、前記大気雰囲気に暴露された前記第二光電変換ユニット(4)の前記p型半導体層(41)上に、前記第二光電変換ユニットを構成する第2のi型半導体層(42)及び第2のn型半導体層(43)を同じ減圧室内で形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)