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1. (WO2010023937) CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/023937    International Application No.:    PCT/JP2009/004209
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 28.08.2009
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C01B 33/02 (2006.01), C30B 28/06 (2006.01), H01L 21/208 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: HIROSHIMA UNIVERSITY [JP/JP]; 3-2, Kagamiyama 1-chome, Higashihiroshima-shi, Hiroshima 7398511 (JP) (For All Designated States Except US).
HIGASHI, Seiichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBA, Naohiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HIGASHI, Seiichiro; (JP).
KOBA, Naohiro; (JP)
Agent: MATSUYAMA, Takao; (JP)
Priority Data:
2008-223419 01.09.2008 JP
2009-049616 03.03.2009 JP
Title (EN) CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CRISTAL, DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS FABRIQUÉ À L'AIDE DE CE PROCÉDÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS À L'AIDE CET APPAREIL
(JA) 結晶製造装置、それを用いて製造された半導体デバイスおよびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a crystal manufacturing apparatus capable of manufacturing a crystal in a desired position on a substrate.  One end of a spring (2) is fixed to a rack (1) and the other end thereof is coupled to a magnetic body (3).  One end of the magnetic body (3) is coupled to the spring and the other end thereof is coupled to a piston (6).  A coil (4) is wound around the magnetic body (3) and electrically connected between a power supply circuit (5) and a ground node (GND).  The piston (6) comprises a straight member (61) inserted into a cylinder (7).  The cylinder (7) has a hollow columnar shape and comprises a small hole (71) in the bottom surface (7B) thereof.  The cylinder (7) holds a silicon melt (13).  A substrate (11) is supported by an XY stage (12) so as to face the small hole (71) of the cylinder (7).  The power supply circuit (5) feeds a pulsed current to the coil (4) to move the piston (6) in a vertical direction (DR1).  As a result, a droplet (14) is ejected from the small hole (71) toward the substrate (11) at an initial speed of 1.02 m/s.
(FR)L'invention concerne un appareil de fabrication de cristal capable de fabriquer un cristal dans une position désirée sur un substrat. Une extrémité d'un ressort (2) est fixée à une baie (1) et l'autre extrémité est couplée à un corps magnétique (3). Une extrémité du corps magnétique (3) est couplée au ressort et l'autre extrémité à un piston (6). Un enroulement (4) est enroulé autour du corps magnétique (3) et raccordé électriquement entre le circuit d'alimentation électrique (5) et un noeud de terre (GND). Le piston 6) comprend un élément droit inséré dans un cylindre (7). Le cylindre (7) comporte une colonne creuse et comprend un petit trou (71) dans sa surface inférieure (7B). Le cylindre (7) contient un bain de silicium (13). Un substrat (11) est supporté par un étage XY (12) de façon à être opposé au petit trou (71) du cylindre (7). Le circuit d'alimentation électrique (5) envoie un courant pulsé dans l'enroulement (4) afin de déplacer le piston (6) dans une direction verticale (DR1). En conséquence, une gouttelette (14) est éjectée du petit trou (71) vers le substrat (11) à une vitesse initiale de 1,02 m/s.
(JA) 基板上の所望の位置に結晶を製造可能な結晶製造装置を提供する。バネ(2)は、一方端が架台(1)に固定され、他方端が磁性体(3)に連結される。磁性体(3)は、一方端がバネに連結され、他方端がピストン(6)に連結される。コイル(4)は、磁性体(3)の周囲に巻回されるとともに、電源回路(5)と、接地ノード(GND)との間に電気的に接続される。ピストン(6)は、シリンダ(7)内に挿入された直線部材(61)を有する。シリンダ(7)は、中空の円柱形状からなり、底面(7B)に小孔(71)を有する。そして、シリンダ(7)は、シリコン融液(13)を保持する。基板(11)は、シリンダ(7)の小孔(71)に対向するようにXYステージ(12)によって支持される。電源回路(5)は、パルス状の電流をコイル(4)に流し、ピストン(6)を上下方向(DR1)に移動させる。その結果、液滴(14)は、1.02m/sの初速度で小孔(71)から基板(11)へ向けて噴出される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)