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1. (WO2010023816) METHOD FOR MANUFACTURING SOI WAFER, AND SOI WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/023816    International Application No.:    PCT/JP2009/003573
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 29.07.2009
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (For All Designated States Except US).
OKA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUWABARA, Susumu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OKA, Satoshi; (JP).
KUWABARA, Susumu; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Priority Data:
2008-219981 28.08.2008 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOI WAFER, AND SOI WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUETTE SOI, ET PLAQUETTE SOI
(JA) SOIウェーハの製造方法およびSOIウェーハ
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing an SOI wafer, comprising providing an SOI wafer comprising an SOI layer provided on a BOX layer and growing an epitaxial layer on the SOI layer to increase the thickness of the SOI layer.  In the method, the SOI wafer for epitaxial layer growth has an infrared reflectance of not less than 20% and not more than 40% in an infrared wavelength range of 800 to 1300 nm.  The method can provide a high-quality SOI wafer, which comprises an SOI layer having a thickness increased by growing an epitaxial layer and has no significant slip dislocation or the like, at low cost with high productivity.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une plaquette SOI, le procédé comprenant la fourniture d’une plaquette SOI comprenant une couche SOI formée sur une couche BOX (oxyde enterré) et la croissance d’une couche épitaxiale sur la couche SOI pour augmenter l’épaisseur de la couche SOI. Dans le procédé, la plaquette SOI pour la croissance de la couche épitaxiale présente un facteur de réflexion des infrarouges supérieur à 20 % et inférieur à 40 % dans une plage de longueur d'onde infrarouge allant de 800 à 1 300 nm. Le procédé peut donner une plaquette SOI haute qualité, qui comprend une couche SOI ayant une épaisseur augmentée par la croissance d’une couche épitaxiale, et qui ne présente pas de dislocation significative par glissement ou analogue, à un faible coût et avec une productivité élevée.
(JA) 本発明は、BOX層上にSOI層を有するSOIウェーハのSOI層上にエピタキシャル層を成長させてSOI層を厚くするSOIウェーハの製造方法において、エピタキシャル層を成長させるSOIウェーハの800~1300nmの赤外線波長領域における赤外線反射率が20%以上40%以下のものを用いてエピタキシャル成長させるSOIウェーハの製造方法である。これにより、エピタキシャル層を成長させてSOI層を厚くしたSOIウェーハであって、生産性が良く低コストで、スリップ転位等の少ない高品質なSOIウェーハ、及びその製造方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)