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1. (WO2010023762) MULTIVALUED RESISTANCE CHANGE MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/023762    International Application No.:    PCT/JP2008/065601
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 29.08.2008
IPC:
G11C 13/00 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (For All Designated States Except US).
BOTA, Noriko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NOJIRI, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUKUMIZU, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KONNO, Takuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHITANI, Kazuhito [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: BOTA, Noriko; (JP).
NOJIRI, Yasuhiro; (JP).
FUKUMIZU, Hiroyuki; (JP).
KONNO, Takuya; (JP).
NISHITANI, Kazuhito; (JP)
Agent: HYUGAJI, Masahiko; Kannai ST Bldg., 4-1, Onoe-cho 1-chome, Naka-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2310015 (JP)
Priority Data:
Title (EN) MULTIVALUED RESISTANCE CHANGE MEMORY
(FR) MÉMOIRE À CHANGEMENT DE VALEUR OHMIQUE À VALEURS MULTIPLES
(JA) 多値抵抗変化型メモリ
Abstract: front page image
(EN)A nonvolatile storage device is characterized by comprising a storage layer which has a first state of having a first resistance while a first voltage is applied, a second state of having a second resistance higher than the first resistance while a second voltage higher than the first voltage is applied, and a third state of having a third resistance between the first resistance and the second resistance while a third voltage between the first voltage and the second voltage is applied; and a driving part which records information in the storage layer by applying at least one of the first, second and third voltages to the storage layer.
(FR)Selon l'invention, un composant de mémorisation non volatile est caractérisé en ce qu'il comprend une couche de mémorisation qui présente un premier état consistant à présenter une première valeur ohmique lorsqu'une première tension est appliquée, un deuxième état consistant à présenter une deuxième valeur ohmique supérieure à la première valeur ohmique lorsqu'une deuxième tension, supérieure à la première tension, est appliquée, ainsi qu'un troisième état consistant à présenter une troisième valeur ohmique comprise entre les première et deuxième valeurs ohmiques lorsqu'une troisième tension comprise entre les première et seconde tensions est appliquée ; ainsi qu'un composant de pilotage qui enregistre des informations dans la couche de mémorisation en appliquant au moins l'une de la première, de la deuxième et de la troisième tension à la couche de mémorisation.
(JA) 第1電圧の印加において第1抵抗を有する第1状態と、前記第1電圧よりも高い第2電圧の印加において前記第1抵抗よりも高い第2抵抗を有する第2状態と、前記第1電圧と前記第2電圧の間の第3電圧の印加において前記第1抵抗と前記第2抵抗の間の第3抵抗を有する第3状態と、を有する記憶層と、前記記憶層に、前記第1、第2及び第3電圧少なくともいずれかの電圧を印加して、前記記憶層に情報の記録を行う駆動部と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)