WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010023094) OPTOELECTRONIC SYSTEMS PROVIDING HIGH-POWER HIGH-BRIGHTNESS LASER LIGHT BASED ON FIELD COUPLED ARRAYS, BARS AND STACKS OF SEMICONDUCTOR DIODE LASERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/023094    International Application No.:    PCT/EP2009/060350
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 10.08.2009
IPC:
H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01)
Applicants: PBC LASERS GMBH [DE/DE]; Hardenbergstr. 36 10623 Berlin (DE) (For All Designated States Except US).
SHCHUKIN, Vitaly [RU/DE]; (DE) (For US Only).
LEDENTSOV, Nikolai [RU/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SHCHUKIN, Vitaly; (DE).
LEDENTSOV, Nikolai; (DE)
Agent: FISCHER, Uwe; Moritzstraße 22 13597 Berlin (DE)
Priority Data:
12/200,127 28.08.2008 US
Title (EN) OPTOELECTRONIC SYSTEMS PROVIDING HIGH-POWER HIGH-BRIGHTNESS LASER LIGHT BASED ON FIELD COUPLED ARRAYS, BARS AND STACKS OF SEMICONDUCTOR DIODE LASERS
(FR) SYSTÈMES OPTOÉLECTRONIQUES PROCURANT UNE LUMIÈRE LASER DE FORTE PUISSANCE ET DE LUMINOSITÉ ÉLEVÉE FONDÉS SUR DES RÉSEAUX DE LASERS À COUPLAGE DE CHAMP, SUR DES BARREAUX LASERS ET SUR DES EMPILEMENTS DE LASERS À DIODE À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor diode laser having a broad vertical waveguide and a broad lateral waveguide is disclosed emitting laser light in a single vertical mode and a single lateral mode narrow beam. The vertical waveguide comprises a coupled cavity structure, wherein light, generated in the active medium placed in the first cavity leaks into the second cavity and returns back. Phase matching conditions govern the selection of a single vertical mode. A multi-stripe lateral waveguide comprises preferably a lateral photonic band crystal with a lateral optical defect created by selected pumping of multistripes. This approach allows the selection of a single lateral mode having a higher optical confinement factor and/or a lower absorption loss and/or a lower leakage loss compared to the rest lateral optical modes. This enables a single lateral mode lasing from a broad area field coupled laser array. A laser system comprised of multiple field coupled laser arrays on a single wafer and a set of external mirrors enables an ultra-broad field coupled laser bar emitting a coherent laser light in a single vertical optical mode and a single lateral optical mode. A laser system comprised of multiple ultra-broad field coupled laser bars on different wafers and a set of external mirrors enables an ultra-broad field coupled laser stack emitting coherent laser light in a single vertical optical mode and a single lateral optical mode. This allows realization of ultrahigh power ultrahigh brightness laser systems based on semiconductor diode lasers.
(FR)L'invention concerne un laser à diode à semi-conducteurs équipé d'un large guide d'onde vertical et d'un large guide d'onde transversal qui émet une lumière laser dans un faisceau étroit à un seul mode vertical et un seul mode transversal. Le guide d'ondes vertical comporte une structure de cavités couplées dans laquelle la lumière, générée dans le milieu actif placé dans la première cavité, passe dans la seconde cavité, puis revient en arrière. Des conditions de concordance de phase régissent la sélection d'un seul mode vertical. Un guide d'ondes transversal multi-bande comporte, de préférence, un cristal à bande photonique transversale comportant un défaut optique transversal créé par un pompage sélectionné de plusieurs bandes. Cette approche permet la sélection d'un seul mode transversal présentant un plus grand facteur de confinement optique et/ou une perte d'absorption plus faible et/ou une perte de fuite plus faible par rapport aux autres modes optiques transversaux. Ceci permet une émission laser à un seul mode transversal à partir d'un réseau de lasers à couplage de champ à grande surface. Un système laser, composé de plusieurs réseaux de lasers à couplage de champ sur une seule plaquette et d'un jeu de miroirs externes, permet à un barreau laser à couplage de champ ultra large d'émettre une lumière laser cohérente dans un seul mode optique vertical et un seul mode optique transversal. Un système laser, composé de plusieurs barreaux laser à couplage de champ ultra large sur différentes plaquettes et d'un jeu de miroirs externes, permet à un empilement de lasers à couplage de champ ultra large d'émettre une lumière laser cohérente dans un seul mode optique vertical et un seul mode optique transversal. Ceci permet la réalisation de systèmes laser de très grande puissance et de très grande luminosité fondés sur des lasers à diode à semi-conducteurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)