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1. (WO2010022971) DRIVE CURRENT ADJUSTMENT FOR TRANSISTORS FORMED IN THE SAME ACTIVE REGION BY LOCALLY PROVIDING EMBEDDED STRAIN INDUCING SEMICONDUCTOR MATERIAL IN THE ACTIVE REGION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/022971    International Application No.:    PCT/EP2009/006259
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 28.08.2009
Chapter 2 Demand Filed:    29.06.2010    
IPC:
H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8244 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place Mail Stop 68 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (For All Designated States Except US).
GRIEBENOW, Uwe [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HOENTSCHEL, Jan [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: GRIEBENOW, Uwe; (DE).
HOENTSCHEL, Jan; (DE)
Agent: PFAU, Anton, K.; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Leopoldstrasse 4 80802 München (DE)
Priority Data:
10 2008 045 034.0 29.08.2008 DE
12/507,544  22.07.2009 US
Title (EN) DRIVE CURRENT ADJUSTMENT FOR TRANSISTORS FORMED IN THE SAME ACTIVE REGION BY LOCALLY PROVIDING EMBEDDED STRAIN INDUCING SEMICONDUCTOR MATERIAL IN THE ACTIVE REGION
(FR) RÉGLAGE DE COURANT D'ATTAQUE POUR DES TRANSISTORS FORMÉS DANS LA MÊME RÉGION ACTIVE EN FOURNISSANT LOCALEMENT UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR CRÉATEUR DE TENSION INCORPORÉ DANS LA RÉGION ACTIVE
Abstract: front page image
(EN)The drive current capability of a pull-down transistor and a pass transistor formed in a common active region may be adjusted on the basis of different strain levels obtained by providing at least one embedded semiconductor alloy in the active region, thereby providing for a simplified overall geometric configuration of the active region. Hence, static RAM cells may be formed on the basis of a minimum channel length with a simplified configuration of the active region, thereby avoiding significant yield losses as may be observed in sophisticated devices, in which a pronounced variation of the transistor width is conventionally used so as to adjust the ratio of the drive currents for the pull-down and pass transistors.
(FR)Dans le cadre de la présente invention, la capacité de courant d'attaque d'un transistor d'excursion basse et d'un transistor de chute formés dans une région active commune peut être réglée sur la base de niveaux de tension différents obtenus en fournissant au moins un alliage semi-conducteur incorporé dans la région active, permettant ainsi une configuration géométrique d'ensemble simplifiée de la région active. Donc, des cellules de RAM statique peuvent être formées sur la base d'une longueur de canal minimum avec une configuration simplifiée de la région active, évitant ainsi des pertes de rendement importantes comme celles qui peuvent être observées dans des dispositifs sophistiqués dans lesquels une variation prononcée de la largeur de transistor est conventionnellement utilisée afin de régler le rapport des courants d'attaque pour les transistors d'excursion basse et de chute.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)