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1. (WO2010022962) MEASURING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/022962    International Application No.:    PCT/EP2009/006247
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 28.08.2009
IPC:
G01N 21/64 (2006.01), G01N 21/66 (2006.01), G01N 21/95 (2006.01)
Applicants: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG [DE/DE]; Fahnenbergplatz 79098 Freiburg (DE) (For All Designated States Except US).
WURFEL, Peter, Wilhelm [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHUBERT, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KASEMANN, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WARTA, Wilhelm [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: WURFEL, Peter, Wilhelm; (DE).
SCHUBERT, Martin; (DE).
KASEMANN, Martin; (DE).
WARTA, Wilhelm; (DE)
Agent: DICKER, Jochen; Lemke, Brommer & Partner Bismarckstrasse 16 76133 Karlsruhe (DE)
Priority Data:
10 2008 044 881.8 29.08.2008 DE
Title (DE) MESSVERFAHREN FÜR EINE HALBLEITERSTRUKTUR
(EN) MEASURING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE POUR UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Messverfahren für eine Halbleiterstruktur mit einer Vorder- und einer Rückseite, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen von Lumineszenzstrahlung in der Halbleiterstruktur, B Bestimmen eines Zusammenhangs für diese Halbleiterstruktur zwischen der Materialqualität der Halbleiterstruktur, insbesondere der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger, und der elektrischen Eigenschaft mindestens einer Seite der Halbleiterstruktur (Vorder- oder Rückseite), insbesondere einer Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit der Vorder- oder Rückseite, in Abhängigkeit von einer ersten Auswertung A1 sowie einer zweiten Auswertung A2 der gemessenen Intensität der Lumineszenzstrahlung mit jeweils verschiedener spektraler Gewichtung. Sie ist durch mindestens eine zusätzliche dritte Auswertung A3 der gemessenen Intensität der Lumineszenzstrahlung gekennzeichnet wobei sich die drei Auswertungen A1, A2 und A3 jeweils hinsichtlich der spektralen Gewichtung bezüglich der bei der jeweiligen Auswertung berücksichtigten Lumineszenzstrahlung und/oder bezüglich der Seite der Halbleiterstruktur, deren abgestrahlte Lumineszenzstrahlung bei der Auswertung berücksichtigt wird, unterscheiden.
(EN)
(FR)
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)