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1. (WO2010022889) METHOD FOR LOCAL CONTACTING AND LOCAL DOPING OF A SEMICONDUCTOR LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/022889    International Application No.:    PCT/EP2009/006037
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 20.08.2009
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V [DE/DE]; Hansastrasse 27c 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
PREU, Ralf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GROHE, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BIRO, Daniel [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RENTSCH, Jochen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HOFMANN, Marc [DE/DE]; (DE) (For US Only).
NEKARDA, Jan-Frederik [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WOLF, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: PREU, Ralf; (DE).
GROHE, Andreas; (DE).
BIRO, Daniel; (DE).
RENTSCH, Jochen; (DE).
HOFMANN, Marc; (DE).
NEKARDA, Jan-Frederik; (DE).
WOLF, Andreas; (DE)
Agent: DICKER, Jochen; Lemcke, Brommer & Partner Bismarckstraße 16 76133 Karlsruhe (DE)
Priority Data:
10 2008 044 882.6 29.08.2008 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR LOKALEN KONTAKTIERUNG UND LOKALEN DOTIERUNG EINER HALBLEITERSCHICHT
(EN) METHOD FOR LOCAL CONTACTING AND LOCAL DOPING OF A SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) PROCÉDÉ POUR LA MISE EN CONTACT LOCALE ET LE DOPAGE LOCAL D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur lokalen Kontaktierung und lokalen Dotierung einer Halbleiterschicht, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen einer Schichtstruktur auf der Halbleiterschicht durch i. Aufbringen mindestens einer Zwischenschicht auf eine Seite der Halbleiterschicht und ii. Aufbringen mindestens einer Metallschicht auf die in Schritt i. zuletzt aufgebrachte Zwischenschicht, wobei die Metallschicht die zuletzt aufgebrachte Zwischenschicht zumindest teilweise bedeckt, B lokales Erhitzen der Schichtstruktur, derart, dass sich in einem lokalen Bereich kurzzeitig eine Schmelzmischung aus zumindest Teilbereichen zumindest der Schichten: Metallschicht, Zwischenschicht und Halbleiterschicht, bildet und nach Erstarren der Schmelzmischung eine Kontaktierung zwischen Metallschicht und Halbleiterschicht besteht. Wesentlich ist, dass in Schritt A, i. mindestens eine als Dotierungsschicht ausgeführte Zwischenschicht aufgebracht wird, welche einen Dotierstoff beinhaltet, wobei der Dotierstoff eine größere Löslichkeit in der Halbleiterschicht aufweist als das Metall der Metallschicht.
(EN)
(FR)
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)