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1. (WO2010022601) PROCESS FOR PRODUCING HIGHLY PURE SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/022601    International Application No.:    PCT/CN2009/071476
Publication Date: 04.03.2010 International Filing Date: 27.04.2009
IPC:
C01B 33/033 (2006.01)
Applicants: BEIJING SINOCON TECHNOLOGIES CO., LTD [CN/CN]; No.1 8th Road,Logistics Zone,Airport Logistics Park, Shunyi District Beijing 101300 (CN) (For All Designated States Except US).
LI, Runyuan [CN/CN]; (CN) (For All Designated States Except US).
OISHI, Naoaki [JP/JP]; (JP).
HASHIMOTO, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OISHI, Naoaki; (JP).
HASHIMOTO, Akira; (JP)
Agent: BEIJING CATALY IP ATTORNEY AT LAW; ZHENG Liming South Division, the 8th Floor , Zhongtieke Mansion Daliushu Road No. A2, Haidian District Beijing 100081 (CN)
Priority Data:
2008-222965 31.08.2008 JP
200910127017.2 10.03.2009 CN
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING HIGHLY PURE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM EXTRÊMEMENT PUR
(ZH) 高纯度硅的制造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a process for producing highly pure silicon. The reaction products are completely separated and recovered to reuse in the process so as to achieve low cost large-scale production of highly pure silicon. Specifically, use is made of vessel 1 with temperature maintained at 910 to 1300℃, vessel 2 with temperature maintained at 300 to 400℃ and vessel 3 with temperature maintained below 0℃. The outlet side of vessel 3 is communicated with ambient atmospheric gases through exhaust gas treatment devices. Vessels 1, 2 and 3 are connected in series, silicon tetrachloride gas, zinc vapour and inert gases with purity of 6N are feed from the inlet of vessel 1, and excess stoichiometric ratio of silicon tetrachloride to zinc is kept at the pressure of 1000 to 1200 hPa, thereby achieving a zinc-free state in the system. Granular silicon is obtained in vessel 1, molten byproducts zinc chloride and particulate silicon are obtained in vessel 2, and the residual silicon tetrachloride is recovered in the liquid state in vessel 3. The byproducts zinc chloride in vessel 2 is directed to aqueous solution electrolysis after particulate silicon is recovered, and zinc is recovered to reuse.
(FR)Cette invention concerne un procédé de production de silicium extrêmement pur. Les produits réactionnels sont entièrement séparés et récupérés pour être réutilisés dans le processus de manière à obtenir du silicium extrêmement pur à grande échelle à un faible coût de production. Le procédé utilise en particulier une cuve 1 dont la température est maintenue entre 910 et 1 300 °C, une cuve 2 dont la température est maintenue entre 300 et 400 °C et une cuve 3 dont la température est maintenue en dessous de 0 °C. La sortie de la cuve 3 communique avec les gaz atmosphériques ambiants par des dispositifs de traitement des gaz d’échappement. Les cuves 1, 2 et 3 sont reliées en série, et du tétrachlorure de silicium (gaz), de la vapeur de zinc et des gaz inertes d’une pureté de 6N sont introduits par le port d’entrée de la cuve 1, et le rapport tétrachlorure de silicium sur zinc en excès stœchiométrique est maintenu à une pression comprise entre 1 000 et 1 200 hPa, permettant ainsi un état exempt de zinc dans le système. Des granules de silicium sont obtenues dans la cuve 1, des sous-produits liquides de chlorure de zinc et des particules de silicium dans la cuve 2, et du tétrachlorure de silicium résiduel à l’état liquide dans la cuve 3. Les sous-produits de chlorure de zinc de la cuve 2 sont dirigés vers une électrolyse en solution aqueuse une fois les particules de silicium récupérées, et le zinc est récupéré pour être réutilisé.
(ZH)本发明提供一种高纯硅的制造方法。该方法通过反应生成物的完全分离、回收及再利用,实现高纯硅的低成本、大批量生产。具体为:采用温度维持在910~1300℃的容器1、维持在300~400℃的容器2以及维持在0℃以下的容器3,在容器3的出口侧通过废气处理装置与外界气体相连,将容器1、2、3串联结合,从容器1的入口供给纯度为6N的四氯化硅气体、锌蒸气和惰性气体,在1000至1200hPa的压力下维持四氯化硅的化学当量比超过锌的状态进行供给。以此实现系统内没有锌存在的状态,用容器1获得粒状硅,容器2获得熔融状态的副产物氯化锌和微粒硅,容器3以液体状态回收剩余的四氯化硅。容器2的副产物氯化锌在微粒硅回收后,送至水溶液电解,回收锌并再利用。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)