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1. (WO2009143458) HIGH-K DIELECTRIC FILMS AND METHODS OF PRODUCING USING TITANIUM-BASED PRECURSORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/143458    International Application No.:    PCT/US2009/045034
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 22.05.2009
IPC:
C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Applicants: SIGMA-ALDRICH CO. [US/US]; 3050 Spruce St. St.louis, MO 63103 (US) (For All Designated States Except US).
CHALKER, Paul, Raymond [GB/GB]; (GB) (For US Only).
HEYS, Peter, Nicholas [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: CHALKER, Paul, Raymond; (GB).
HEYS, Peter, Nicholas; (GB)
Agent: KEANE, Timothy, J.; Hamess, Dickey & Pierce, P.L.C. 7700 Bonhomme, Suite 400 St. Louis, MO 63105 (US)
Priority Data:
61/055,646 23.05.2008 US
Title (EN) HIGH-K DIELECTRIC FILMS AND METHODS OF PRODUCING USING TITANIUM-BASED PRECURSORS
(FR) FILMS DIÉLECTRIQUES À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ÉLEVÉE ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION AU MOYEN DE PRÉCURSEURS À BASE DE TITANE
Abstract: front page image
(EN)Methods are provided to form and stabilize high-κ dielectric films by vapor deposition processes using metal-source precursors and titanium-based precursors corresponding in structure to Formula I wherin L is a cyclopentadienyl ring optionally substituted with one or more substituents independently selected from the group consisting of alkyl, alkoxy and NR1R2; or L is alkoxy; R1 and R2 are independently hydrogen or alkyl; and x is 3 or 4. Further provided are methods of improving high-κ gate property of semiconductor devices by using titanium precursors according to Formula I. High-κ dielectric film-forming lattices are also provided comprising titanium precursors according to Formula I.
(FR)L'invention concerne des procédés pour former et stabiliser des films à constante diélectrique élevée par des processus de dépôt en phase vapeur faisant intervenir des précurseurs de source métallique et des précurseurs à base de titane dont la structure correspond à la formule (I) dans laquelle L représente un anneau cyclopentadiényle éventuellement substitué par un ou plusieurs substituants indépendamment sélectionnés à partir du groupe comprenant alkyle, alcoxy et NR1R2; ou L représente alcoxy; R1 et R2 représentent indépendamment hydrogène ou alkyle; et x vaut 3 ou 4. L'invention concerne également des procédés pour améliorer la propriété de grille à constante diélectrique élevée de dispositifs à semi-conducteurs au moyen de précurseurs à base de titane selon la formule (I). L'invention concerne en outre des réseaux de formation de films diélectriques à constante diélectrique élevée qui comprennent des précurseurs à base de titane selon la formule (I).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)