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1. (WO2009142982) METAL GATE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/142982    International Application No.:    PCT/US2009/043898
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 14.05.2009
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052 (US) (For All Designated States Except US).
RACHMADY, Willy [ID/US]; (US) (For US Only).
OZER, Soley [TR/US]; (US) (For US Only).
KLAUS, Jason [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RACHMADY, Willy; (US).
OZER, Soley; (US).
KLAUS, Jason; (US)
Agent: VINCENT, Lester, J.; (US)
Priority Data:
12/154,307 21.05.2008 US
Title (EN) METAL GATE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) STRUCTURE DE PORTE MÉTALLIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A method of manufacturing a metal gate structure includes providing a substrate (110) having formed thereon a gate dielectric (120), a work function metal (130) adjacent to the gate dielectric, and a gate metal (140) adjacent to the work function metal; selectively forming a sacrificial capping layer (310) centered over the gate metal; forming an electrically insulating layer (161) over the sacrificial capping layer such that the electrically insulating layer at least partially surrounds the sacrificial capping layer; selectively removing the sacrificial capping layer in order to form a trench (410) aligned to the gate metal in the electrically insulating layer; and filling the trench with an electrically insulating material in order to form an electrically insulating cap (150) centered on the gate metal.
(FR)Le procédé selon l'invention comprend les étapes consistant à : fournir un substrat (110) sur lequel est formé un diélectrique de porte (120), un métal à travail de sortie (130) adjacent au diélectrique de porte, et un métal de porte (140) adjacent au métal à travail de sortie; former sélectivement une couche de revêtement sacrifiée (310) centrée sur le métal de porte; former une couche d'isolation électrique (161) au-dessus de la couche de revêtement sacrifiée de sorte que la couche d'isolation électrique entoure au moins partiellement la couche de revêtement sacrifiée; retirer sélectivement la couche de revêtement sacrifiée afin de former une tranchée (410) alignée sur le métal de porte dans la couche d'isolation électrique; et remplir la tranchée d'un matériau isolant afin de former un capot d'isolation électrique (150) centré sur le métal de porte.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)