WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2009142930) APPARATUS COMPRISING MULTIPLE INTEGRATED CIRCUITS USING DIFFERENT GATE OXIDE THICKNESS ON A SINGLE INTEGRATED CIRCUIT DIE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/142930    International Application No.:    PCT/US2009/043342
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 08.05.2009
IPC:
G06F 1/32 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US) (For All Designated States Except US).
TESSITORE, Ronald, John [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: TESSITORE, Ronald, John; (US)
Agent: TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US)
Priority Data:
12/124,393 21.05.2008 US
Title (EN) APPARATUS COMPRISING MULTIPLE INTEGRATED CIRCUITS USING DIFFERENT GATE OXIDE THICKNESS ON A SINGLE INTEGRATED CIRCUIT DIE
(FR) APPAREIL COMPRENANT DE MULTIPLES CIRCUITS INTÉGRÉS UTILISANT DIFFÉRENTES ÉPAISSEURS D'OXYDE DE GRILLE SUR UNE PUCE DE CIRCUIT INTÉGRÉ UNIQUE
Abstract: front page image
(EN)An apparatus comprising plurality of functional integrated circuit blocks, each manufactured with different oxide thicknesses on a monolithic integrated circuit die, is described. Using different gate oxide thicknesses for different functional integrated circuit blocks provides reduced power consumption and increases performance in processing systems. Several embodiments comprising different combinations of functional integrated circuit blocks, including processor cores and memory elements, are presented.
(FR)L'invention porte sur un appareil comprenant une pluralité de blocs de circuit intégré fonctionnels, chacun fabriqué avec différentes épaisseurs d'oxyde sur une puce de circuit intégré monolithique. Grâce aux différentes épaisseurs d'oxyde de grille pour différents blocs de circuit intégré fonctionnels, la consommation d'énergie est réduite et la performance dans les systèmes de traitement est augmentée. Plusieurs modes de réalisation comprenant différentes combinaisons de blocs de circuit intégré fonctionnels, comprenant des cœurs de processeur et des éléments de mémoire, sont présentés.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)