WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2009142538) METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/142538    International Application No.:    PCT/RU2009/000185
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 20.04.2009
IPC:
C01B 33/035 (2006.01)
Applicants: STR GROUP, LTD. [RU/RU]; pr. Engelsa, 27/ 5 "A"- offis 315 a/ya 89 St.Petersburg, 194156 (RU) (For All Designated States Except US).
LOVTSUS, Andrey Algerdovich [RU/RU]; (RU) (For US Only)
Inventors: LOVTSUS, Andrey Algerdovich; (RU)
Agent: RYBAKOV, Dmitry Vladimirovich; Shvedsky per., 2, of. 12 St.Petersburg, 191186 (RU)
Priority Data:
2008121922 22.05.2008 RU
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(RU) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a polycrystalline silicon production method. The inventive method involves supplying a gas mixture based on a silicon-containing gas to a reduction reactor via a tube system and precipitating silicon on heated surfaces in such a way that an effluent gas mixture is formed. The silicon precipitation process is simultaneously carried out in at least two reactors which are connected in series by the tube system for transporting the gas mixture. Then, the gas mixture used for the operation of all the reactors is supplied at entry into the first reactor and is continuously transmitted through all the connected in series reactors.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication de silicium polycristallin par sédimentation à partir de la phase gazeuse. Selon l’invention, on alimente un réacteur de réduction au moyen d’un système de tuyaux de mélange gazeux à base d’un gaz contentant du silicium, et on assure la sédimentation du silicium sur des surfaces réchauffées tout en formant des gaz d’évacuation. Le processus de sédimentation est mis en oeuvre simultanément dans au moins deux réacteurs qui sont reliés entre eux en série par un système de tubulures pour le transport du mélange gazeux. On alimente ensuite l’entrée du premier réacteur avec un mélange gazeux destiné au fonctionnement de tous les réacteurs et on assure la circulation ininterrompue du mélange gazeux à travers tous les réacteurs reliés en série.
(RU)Предложен способ получения поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы. Способ включает в себя подачу в реактор восстановления через систему патрубков газовой смеси на основе кремнийсодержащего газа и осаждение кремния на нагретых поверхностях с образованием отходящей газовой смеси. Процесс осаждения кремния осуществляют одновременно в, по крайней мере, двух реакторах, которые соединяют между собой последовательно системой патрубков для транспортирования газовой смеси. Затем подают на вход первого реактора газовую смесь, предназначенную для работы всех реакторов и осуществляют непрерывное прохождение газовой смеси через все последовательно соединенные реакторы.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)