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1. (WO2009142325) DIELECTRIC FILM, DIELECTRIC ELEMENT, AND PROCESS FOR PRODUCING THE DIELECTRIC ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/142325    International Application No.:    PCT/JP2009/059550
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 25.05.2009
Chapter 2 Demand Filed:    23.03.2010    
IPC:
C01G 33/00 (2006.01), H01G 4/10 (2006.01), H01G 4/33 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE [JP/JP]; (JP) (For All Designated States Except US).
OSADA Minoru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAKI Takayoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OSADA Minoru; (JP).
SASAKI Takayoshi; (JP)
Agent: NISHIZAWA Toshio; Kudan-Horie Bldg. 6F, 3-14, Kudan-kita 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020073 (JP)
Priority Data:
2008-135379 23.05.2008 JP
Title (EN) DIELECTRIC FILM, DIELECTRIC ELEMENT, AND PROCESS FOR PRODUCING THE DIELECTRIC ELEMENT
(FR) FILM DIÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DIÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE L'ÉLÉMENT DIÉLECTRIQUE
(JA) 誘電体膜と誘電体素子及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a dielectric film formed by attaching a single layer or a multilayer of a niobic acid nano sheet.  Also disclosed is a dielectric element that can simultaneously realize a high permittivity and good insulating properties even in a nano region.  The dielectric element comprises a dielectric film and other electrode disposed on the surface of the dielectric film.  Further disclosed is a process for producing the dielectric element that can sweep away problems of a deterioration in a substrate interface by heat annealing in the production process, a deviation in composition from a contemplated composition caused by the deterioration in the substrate interface, and electrical mismatching, and an essential problem of a “size effect” that a reduction in the thickness of the film to a nano level lowers the specific permittivity and increases a leak current; can utilize unique properties and high texture and structure regulating properties possessed by the niobic acid nano sheet; and can produce the element at a low temperature free from the influence of a deterioration in substrate interface and a deviation in composition from a contemplated composition.
(FR)L'invention concerne un film diélectrique formé en fixant une couche simple ou multiple de nanofeuille d'acide niobique. L'invention concerne également un élément diélectrique qui permet d'obtenir simultanément une haute permittivité et de bonnes propriétés isolantes même dans une nanorégion. L'élément diélectrique comprend un film diélectrique et d'autres électrodes disposées sur la surface du film diélectrique. L'invention concerne en outre un procédé de production de l'élément diélectrique qui permet d'éliminer les problèmes de détérioration de l'interface avec le substrat par le recuit thermique au cours du processus de production, une déviation de la composition par rapport à la composition envisagée provoquée par la détérioration de l'interface avec le substrat et un défaut d'accord électrique, ainsi que le problème essentiel de "l'effet de taille", à savoir qu'une réduction de l'épaisseur du film au niveau nanométrique abaisse la permittivité spécifique et augmente le courant de fuite, en utilisant les propriétés particulières et les propriétés élevées de régulation de la texture et de la structure que possède la nanofeuille d'acide niobique et en produisant l'élément à basse température pour éliminer l'influence d'une détérioration de l'interface avec le substrat et la déviation de la composition par rapport à la composition envisagée.
(JA) ニオブ酸ナノシートの単層若しくは複層を付着させて誘電体膜とし、またこの誘電体膜の表面に他の電極を配置する誘電体膜を構成して誘電体素子とすることで、ナノ領域においても高い誘電率と良好な絶縁特性を同時に実現する誘電体素子を提供する。また、製造行程における熱アニールによる基板界面の劣化やそれに伴う組成ズレ、電気不整合性といった課題、ナノレベルまで薄膜化すると比誘電率が低下し、漏れ電流が増大する"サイズ効果"という本質的問題を一掃し、ニオブ酸ナノシートの有する独自の物性および高い組織、構造制御性を活用し、かつ基板界面劣化、組成ズレの影響のない低温での素子の製造方法をも提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)