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1. (WO2009142310) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/142310    International Application No.:    PCT/JP2009/059470
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 18.05.2009
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), G06K 19/07 (2006.01), G06K 19/077 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01Q 1/24 (2006.01), H01Q 1/38 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OIKAWA, Yoshiaki; (For US Only).
SHOJI, Hironobu; (For US Only).
SHIONOIRI, Yutaka; (For US Only).
KATO, Kiyoshi; (For US Only).
NAKADA, Masataka; (For US Only)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
OIKAWA, Yoshiaki; .
SHOJI, Hironobu; .
SHIONOIRI, Yutaka; .
KATO, Kiyoshi; .
NAKADA, Masataka;
Priority Data:
2008-136082 23.05.2008 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)A conductive shield covering a semiconductor integrated circuit prevents electrostatic breakdown of the semiconductor integrated circuit (e.g., malfunction of a circuit and damage to a semiconductor element) due to electrostatic discharge. Further, with use of a pair of insulators between which the semiconductor integrated circuit is sandwiched, a highly reliable semiconductor having resistance can be provided while achieving reduction in the thickness and size. Moreover, also in the manufacturing process, external stress, or defective shapes or deterioration in characteristics resulted from electrostatic discharge are prevented, and thus the semiconductor device can be manufactured with high yield.
(FR)Selon l’invention, un blindage conducteur recouvrant un circuit intégré semiconducteur empêche un claquage électrostatique de ce circuit (par exemple, le dysfonctionnement du circuit et l’endommagement d’un élément semiconducteur) causé par une décharge électrostatique. De plus, une paire d’isolants entre lesquels le circuit intégré semiconducteur est pris en sandwich permet d’obtenir un semiconducteur haute fiabilité présentant une bonne résistance, ainsi qu’une réduction d’épaisseur et de taille. L’invention concerne également un procédé de fabrication permettant d’éviter les contraintes externes et les formes défectueuses ou la détérioration des caractéristiques entraînées par une décharge électrostatique. Le dispositif semiconducteur selon l’invention peut ainsi être fabriqué à haut rendement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)