WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2009142308) MANUFACTURING METHOD OF CIS THIN-FILM SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/142308    International Application No.:    PCT/JP2009/059465
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 18.05.2009
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: Showa Shell Sekiyu K.K. [JP/JP]; 3-2, Daiba 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1358074 (JP) (For All Designated States Except US).
HAKUMA, Hideki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANAKA, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KURIYAGAWA, Satoru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HAKUMA, Hideki; (JP).
TANAKA, Yoshiaki; (JP).
KURIYAGAWA, Satoru; (JP)
Agent: AOKI, Atsushi; (JP)
Priority Data:
2008-131269 19.05.2008 JP
Title (EN) MANUFACTURING METHOD OF CIS THIN-FILM SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE À COUCHES MINCES À BASE DE SÉLÉNIURE D’INDIUM ET DE CUIVRE
(JA) CIS系薄膜太陽電池の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a manufacturing method of a copper indium selenide (CIS) thin-film solar cell in which alkali elements are added to a light absorption layer easily and with superior controllability, and a high photoelectric conversion rate is achieved, wherein a back electrode layer (2) is formed on a substrate (1), a p-type CIS light absorption layer (3) is formed on the back electrode layer, and an n-type transparent conductive film (5) is formed on the p-type CIS light absorption layer (3). The back electrode layer (2) is formed with a first electrode layer (21) by using a back electrode material with an alkali metal mixed in, and is formed with a second electrode layer (22) by using a back electrode material which essentially does not include the alkali metal.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de cellule solaire à couches minces à base de séléniure d’indium et de cuivre selon lequel des éléments alcalins sont facilement ajoutés à une couche d’absorption de lumière avec une contrôlabilité supérieure, et un taux élevé de conversion photoélectrique est réalisé, une couche d’électrode arrière (2) étant formée sur un substrat (1), une couche d’absorption de lumière à base de séléniure de cuivre et d’indium de type p (3) étant formée sur la couche d’électrode arrière, et un film conducteur transparent de type n (5) étant formé sur la couche d’absorption de lumière à base de séléniure d’indium et de cuivre de type p (3). La couche d’électrode arrière (2) est formée avec une première couche d’électrode (21) à l’aide d’un matériau d’électrode arrière mélangé avec un métal alcalin, et est formée avec une seconde couche d’électrode (22) au moyen d’un matériau d’électrode arrière qui ne contient sensiblement pas de métal alcalin.
(JA)容易にかつ優れた制御性でアルカリ元素を光吸収層に添加して高い光電変換効率を達成するCIS系 薄膜太陽電池を製造方法するために、基板(1)上に裏面電極層(2)を形成し、この裏面電極層上に p型CIS系光吸収層(3)を形成し、このp型CIS系光吸収層(3)上にn型透明導電膜(5)を 形成する。このとき、裏面電極層(2)は、アルカリ金属を混入させた裏面電極材料を用いて第1の電 極層(21)を形成し、前記アルカリ金属を実質的に含まない裏面電極材料を用いて第2の電極層(22)を形成することによって、構成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)