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1. (WO2009141954) BONDED WAFER MANUFACTURING METHOD, AND BONDED WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/141954    International Application No.:    PCT/JP2009/001647
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 09.04.2009
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000004 (JP) (For All Designated States Except US).
YOKOKAWA, Isao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIYASHITA, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAGUCHI, Shin-ichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KITAMURA, Takuya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YOKOKAWA, Isao; (JP).
MIYASHITA, Akira; (JP).
YAMAGUCHI, Shin-ichi; (JP).
KITAMURA, Takuya; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome,, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Priority Data:
2008-132651 21.05.2008 JP
Title (EN) BONDED WAFER MANUFACTURING METHOD, AND BONDED WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE COLLÉE, ET TRANCHE COLLÉE
(JA) 貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせウェーハ
Abstract: front page image
(EN)Provided is a bonded wafer manufacturing method, in which at least a wafer holding portion of a boat for holding a wafer in a peeling heat treatment is made of a material having a higher heat conductivity than that of quartz. After the wafer is inserted into a heat treatment furnace at a temperature lower than the peeling temperature, the temperature rise is continued till the bonded wafer is peeled in at least an ion-implanted layer. As a result, the bonded wafer manufacturing method can reduce a terrace width, in which a thin film is not transferred at a peeling heat treatment in an ion-implantation peeling method, and can suppress the film thickness irregularity of a marble pattern.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication de tranche collée, dans lequel au moins une partie de support de tranche d'une nacelle pour tenir une tranche dans un traitement thermique de pelage est faite d'un matériau ayant une conductivité thermique plus élevée que celle du quartz. Après que la tranche ait été insérée dans un four de traitement thermique à une température inférieure à la température de pelage, l'élévation de température est continuée jusqu'à ce que la tranche collée soit pelée dans au moins une couche d'implantation ionique. En conséquence, le procédé de fabrication de tranche collée peut réduire une largeur de terrasse, dans laquelle un film mince n'est pas transféré à un traitement thermique de pelage dans un procédé de pelage à implantation ionique, et peut supprimer l'irrégularité d'épaisseur de film d'un motif de marbre.
(JA) 本発明は、貼り合わせウェーハの製造方法において、剥離熱処理においてウェーハを保持するボートの少なくともウェーハ保持部の材質を、石英よりも熱伝導率が高い材質のものを用い、剥離温度より低い温度の熱処理炉内にウェーハを投入した後、少なくともイオン注入層でボンドウェーハが剥離するまで昇温し続ける貼り合わせウェーハの製造方法である。これにより、イオン注入剥離法において剥離熱処理の際に薄膜が転写されないテラス幅の低減と、マーブル模様の膜厚ムラを抑制することができる貼り合わせウェーハの製造方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)