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1. (WO2009141350) LOCATION-RELATED ADJUSTMENT OF THE OPERATING TEMPERATURE DISTRIBUTION OR POWER DISTRIBUTION OF A SEMICONDUCTOR POWER COMPONENT, AND COMPONENT FOR CARRYING OUT SAID METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/141350    International Application No.:    PCT/EP2009/056080
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 19.05.2009
IPC:
G01K 7/16 (2006.01)
Applicants: X-FAB Semiconductor Foundries AG [DE/DE]; Haarbergstrasse 67 99097 Erfurt (DE) (For All Designated States Except US).
STOISIEK, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GROSS, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: STOISIEK, Michael; (DE).
GROSS, Michael; (DE)
Agent: LEONHARD, Reimund; LEONHARD OLGEMOELLER FRICKE Postfach 10 09 62 80083 Muenchen (DE)
Priority Data:
10 2008 023 217.3 19.05.2008 DE
Title (DE) ORTSBEZOGENE EINSTELLUNG VON BETRIEBSTEMPERATURVERTEILUNG ODER LEISTUNGSVERTEILUNG EINES HALBLEITER-LEISTUNGSBAUELEMENTS UND BAUELEMENT ZUR DURCHFUEHRUNG DES VERFAHRENS
(EN) LOCATION-RELATED ADJUSTMENT OF THE OPERATING TEMPERATURE DISTRIBUTION OR POWER DISTRIBUTION OF A SEMICONDUCTOR POWER COMPONENT, AND COMPONENT FOR CARRYING OUT SAID METHOD
(FR) RÉGLAGE BASÉ SUR LA LOCALISATION D'UNE RÉPARTITION DE TEMPÉRATURE DE FONCTIONNEMENT OU D'UNE RÉPARTITION DE PUISSANCE D'UN COMPOSANT SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE ET COMPOSANT POUR RÉALISER CE PROCÉDÉ
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Einstellung der Betriebstemperatur von MOS-Leistungsbauelementen, welche aus einer Vielzahl gleicher Einzelzellen aufgebaut sind und ein Bauelement zur Ausführung des Verfahrens beschrieben. Charakteristisch ist die Aufteilung des Gateelektroden-Netzwerks (4) des aktiven Chipgebietes in mehrere gegeneinander durch Trennstellen elektrisch isolierte Gateelektrodennetzwerk- Abschnitte (B1, B2, B3), denen über entsprechende Kontakte jeweils eine unterschiedliche Gatespannung zugeführt wird.
(EN)Described is a method for adjusting the operating temperature of MOS power components composed of a plurality of identical individual cells as well as a component for carrying out said method. As a characteristic feature, the gate electrode network (4) of the active chip region is subdivided into several gate electrode network sectors (B1, B2, B3) which are electrically isolated from one another by means of isolating points and to each of which a different gate voltage is fed via corresponding contacts.
(FR)Procédé de réglage de la température de fonctionnement de composants de puissance MOS comportant une pluralité de cellules individuelles identiques, et composant pour réaliser ce procédé. L'invention est caractérisée en ce que le réseau d'électrodes grilles (4) de la zone de puce active est réparti en plusieurs parties (B1, B2, B3) électriquement isolées les unes des autres par des zones de séparation, chaque partie étant alimentée en tension de grille différente par des contacts correspondants.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)