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1. (WO2009141304) VAPOUR DEPOSITION PROCESS AND DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/141304    International Application No.:    PCT/EP2009/055997
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 18.05.2009
Chapter 2 Demand Filed:    18.03.2010    
IPC:
C23C 16/54 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Applicants: HELIANTHOS B.V. [NL/NL]; Westervoortsedijk 71 NL-6827 AV Arnhem (NL) (For All Designated States Except US).
LENSSEN, Jozef [NL/NL]; (NL) (For US Only).
SCHLATMANN, Rutger [NL/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: LENSSEN, Jozef; (NL).
SCHLATMANN, Rutger; (DE)
Agent: ZONNEVELD, Hendrik Jan; (NL)
Priority Data:
08156542.6 20.05.2008 EP
Title (EN) VAPOUR DEPOSITION PROCESS AND DEVICE
(FR) PROCESSUS ET DISPOSITIF DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
Abstract: front page image
(EN)A vapour deposition process and a device for applying a deposit on a foil substrate (4) by chemical vapour deposition wherein a flow of precursor gases in a reaction chamber (12) is guided over the substrate, and wherein the reaction chamber is formed by a gap (12) between a curved surface (5) supporting the substrate (4), and a guiding surface (9), wherein the gas flows through the gap (12) from a slit shaped precursor gas inlet (10) to a slit shaped outlet (11), the inlet and the outlet having a width corresponding to the width of the reaction, chamber.
(FR)L'invention concerne un processus de dépôt en phase vapeur et un dispositif destiné à appliquer un dépôt sur un substrat (4) en feuille par dépôt chimique en phase vapeur, où un écoulement de gaz précurseurs dans une chambre (12) de réaction est guidé par-dessus le substrat, et où la chambre de réaction est formée par un intervalle (12) entre une surface courbe (5) soutenant le substrat (4) et une surface (9) de guidage, le gaz traversant l’intervalle (12) d’une entrée (10) de gaz précurseurs en forme de fente à une sortie (11) en forme de fente, l’entrée et la sortie présentant une largeur correspondant à la largeur de la chambre de réaction.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)