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1. (WO2009141194) METHOD FOR THE PRODUCTION OF SEPARATE MICROMECHANICAL PARTS ARRANGED ON A SILICON SUBSTRATE, AND PARTS MADE THEREWITH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/141194    International Application No.:    PCT/EP2009/054037
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 03.04.2009
IPC:
B81C 1/00 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
LAERMER, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TEEFFELEN, Kathrin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LEINENBACH, Christina [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: LAERMER, Franz; (DE).
TEEFFELEN, Kathrin; (DE).
LEINENBACH, Christina; (DE)
Common
Representative:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Priority Data:
102008001952.6 23.05.2008 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON VEREINZELTEN, AUF EINEM SILIZIUMSUBSTRAT ANGEORDNETEN MIKROMECHANISCHEN BAUTEILEN UND HIERAUS HERGESTELLTE BAUTEILE
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF SEPARATE MICROMECHANICAL PARTS ARRANGED ON A SILICON SUBSTRATE, AND PARTS MADE THEREWITH
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE DES COMPOSANTS MICROMÉCANIQUES INDIVIDUELS PLACÉS SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM ET COMPOSANTS PRODUITS SELON CE PROCÉDÉ
Abstract: front page image
(DE)Ein Verfahren zur Herstellung von vereinzelten, auf einem Siliziumsubstrat (1) angeordneten mikromechanischen Bauteilen, umfasst die Schritte: a) Bereitstellen von Vereinzelungsgräben (7) auf dem Substrat durch ein anisotropes Plasma-Tiefenätzverfahren; b) Bestrahlen des Bereichs (9, 12) des Siliziumsubstrats (1), welcher den Boden von Vereinzelungsgräben (6) bildet, mit Laserlicht (11), wobei durch das Bestrahlen in diesem Bereich (9, 12) das Siliziumsubstrat (1) von einem kristallinen Zustand in einen zumindest teilweise amorphen Zustand überführt wird; c) Induzieren von mechanischen Spannungen im Substrat (1). In einer Ausführungsform werden gleichzeitig mit dem Ätzen der Vereinzelungsgräben (6) Kavernen (2) geätzt. Die Steuerung der Ätztiefen kann über den RIE-lag-Effekt erfolgen.
(EN)A method for producing separate micromechanical parts arranged on a silicon substrate (1) encompasses the following steps: a) separation trenches (7) are formed on the substrate by means of a deep anisotropic plasma etching process; b) the zone (9, 12) of the silicon substrate (1) that forms the bottom of separation trenches (6) is irradiated with laser light (11) such that the silicon substrate (1) changes from a crystalline state into an at least partially amorphous state in said zone (9, 12); c) mechanical stresses are induced in the substrate (1). In one embodiment, caverns (2) are etched at the same time as the separation trenches (6) are etched. The etching depths can be controlled using the RIE lag effect.
(FR)L'invention concerne un procédé pour la production de composants micromécaniques individuels placés sur un substrat de silicium (1). Le procédé selon l'invention comprend les étapes suivantes : a) réalisation de tranchées de séparation (6) sur le substrat par un procédé de gravure profonde anisotrope par plasma; b) irradiation par une lumière laser (11) de la zone (9, 12) du substrat de silicium (1) qui forme le fond des tranchées de séparation (6), le substrat de silicium (1) passant d'un état cristallin à un état au moins partiellement amorphe suite à l'irradiation de cette zone (9, 12); c) induction de tensions mécaniques dans le substrat (1). Selon un mode de réalisation de l'invention, des cavités (2) sont gravées en même temps que les tranchées de séparation (6). Les profondeurs de gravure peuvent être commandées par le biais de l'effet de retard de la gravure ionique réactive.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)