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1. (WO2009140936) MEMORY WITH TUNNEL BARRIER AND METHOD FOR READING AND WRITING INFORMATION FROM AND TO THIS MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/140936    International Application No.:    PCT/DE2009/000525
Publication Date: 26.11.2009 International Filing Date: 17.04.2009
IPC:
G11C 13/02 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), G11C 23/00 (2006.01)
Applicants: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; 52425 Jülich (DE) (For All Designated States Except US).
KOHLSTEDT, Hermann [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KOHLSTEDT, Hermann; (DE)
Common
Representative:
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; 52425 Jülich (DE)
Priority Data:
10 2008 024 078.8 17.05.2008 DE
Title (DE) SPEICHER MIT TUNNELBARRIERE SOWIE VERFAHREN ZUM SCHREIBEN UND AUSLESEN VON INFORMATION IN DIESEM SPEICHER
(EN) MEMORY WITH TUNNEL BARRIER AND METHOD FOR READING AND WRITING INFORMATION FROM AND TO THIS MEMORY
(FR) MÉMOIRE COMPRENANT UNE BARRIÈRE TUNNEL ET PROCÉDÉ D'ÉCRITURE ET DE LECTURE D'INFORMATIONS DANS CETTE MÉMOIRE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung stellt einen resistiven Speicher zur Verfügung, der eine Tunnelbarriere enthält. Die Tunnelbarriere steht mit einem Speichermaterial in Kontakt, das eine durch ein Schreibsignal veränderliche Speichereigenschaft aufweist. Eine Änderung der Speichereigenschaft greift auf Grund der exponentiellen Abhängigkeit des Tunnelwiderstands von den Parametern der Tunnelbarriere stark auf den Tunnelwiderstand durch, wodurch die im Speichermaterial gespeicherte Information ausgelesen werden kann. Als Speicherschicht ist beispielsweise ein Festkörperelektrolyt (Ionenleiter) geeignet, dessen Ionen durch das Schreibsignal relativ zur Grenzfläche mit der Tunnelbarriere bewegt werden können. Die Speicherschicht kann aber auch beispielsweise eine weitere Tunnelbarriere sein, deren Tunnelwiderstand durch das Schreibsignal veränderlich ist, beispielsweise durch Verschiebung einer in dieser Tunnelbarriere vorhandenen Metallschicht. Die Erfindung stellt auch ein Verfahren zum Speichern und Auslesen von Information in einem Speicher zur Verfügung.
(EN)The invention provides a resistive memory which contains a tunnel barrier.  The tunnel barrier is in contact with a memory material which has a memory property that can be varied by means of a write-signal.  A change to the memory property has a powerful effect on the tunnel resistance due to the exponential dependence of the tunnel resistance on the parameters of the tunnel barrier, so that the information saved in the memory material can be read out.  As memory layer for example, a solid state electrolyte (ion conductor) is suitable, the ions of which can be moved by the write signal relative to the interface with the tunnel barrier.  But the memory layer can also be an additional tunnel barrier, for example, the tunnel resistance of which is variable by means of the write signal, for example, by displacement of a metal layer present in this tunnel barrier.  The invention also provides a method for saving and reading information to and from a memory.
(FR)La présente invention concerne une mémoire résistive contenant une barrière tunnel. La barrière tunnel est en contact avec le matériau constitutif de la mémoire qui a une propriété de mémoire variable en fonction d'un signal d'écriture. Une modification de la propriété de mémoire a une forte influence sur la résistance tunnel du fait que la résistance tunnel dépend de manière exponentielle des paramètres de la barrière tunnel, ce qui permet de lire les informations enregistrées dans le matériau constitutif de la mémoire. En tant que couche mémoire peut être utilisé par exemple un électrolyte solide (conducteur d'ions) dont les ions peuvent être mis en mouvement avec la barrière tunnel par rapport à la surface limite sous l'effet du signal d'écriture. La couche mémoire peut aussi être par exemple une autre barrière tunnel dont la résistance tunnel varie sous l'effet du signal d'écriture, par exemple par déplacement d'une couche métallique présente dans cette barrière tunnel. L'invention concerne également un procédé d'enregistrement et de lecture d'informations dans une mémoire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)