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1. (WO2009140286) PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING OF P-TYPE SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/140286    International Application No.:    PCT/US2009/043643
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 12.05.2009
IPC:
H01L 21/302 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street 12th Floor Oakland, CA 94607 (US) (For All Designated States Except US).
TAMBOLI, Adele [US/US]; (US) (For US Only).
HU, Evelyn, L. [US/US]; (US) (For US Only).
SCHMIDT, Mathew, C. [US/US]; (US) (For US Only).
NAKAMURA, Shuji [US/US]; (US) (For US Only).
DENBAARS, Steven, P. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: TAMBOLI, Adele; (US).
HU, Evelyn, L.; (US).
SCHMIDT, Mathew, C.; (US).
NAKAMURA, Shuji; (US).
DENBAARS, Steven, P.; (US)
Agent: GATES, George, H.; (US)
Priority Data:
61/052,421 12.05.2008 US
Title (EN) PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING OF P-TYPE SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
(FR) GRAVURE PHOTOÉLECTROCHIMIQUE D’HÉTÉROSTRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES DE TYPE P
Abstract: front page image
(EN)A method for photoelectrochemical (PEC) etching of a p-type semiconductor layer simply and efficiently, by providing a driving force for holes to move towards a surface of a p-type cap layer to be etched, wherein the p-type cap layer is on a heterostructure and the heterostructure provides the driving force from an internal bias generated internally in the heterostructure; generating electron-hole pairs in a separate area of the heterostructure than the surface to be etched; and using an etchant solution to etch the surface of the p-type layer.
(FR)L’invention concerne un procédé de gravure photoélectrochimique (PEC) d’une couche semi-conductrice de type p de manière simple et efficace, en fournissant une énergie motrice à des trous pour qu’ils se déplacent vers une surface d’une couche de recouvrement de type p à graver, la couche de recouvrement de type p se trouvant sur une hétérostructure et l’hétérostructure fournissant l’énergie motrice à partir d’une polarisation interne générée de manière interne dans l’hétérostructure ; la génération de paires électrons-trous dans une zone séparée de l’hétérostructure par rapport à la surface à graver ; et l’utilisation d’une solution d’agent de gravure pour graver la surface de la couche de type p.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)