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1. (WO2009140116) SOLAR CELL SPIN-ON BASED PROCESS FOR SIMULTANEOUS DIFFUSION AND PASSIVATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/140116    International Application No.:    PCT/US2009/042989
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 06.05.2009
IPC:
H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/225 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION [US/US]; 505 Tenth Street Atlanta, GA 30332 (US) (For All Designated States Except US).
ROHATGI, Ajeet [US/US]; (US) (For US Only).
MEEMONGKOLKIAT, Vichai [TH/US]; (US) (For US Only).
RAMANATHAN, Saptharishi [IN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ROHATGI, Ajeet; (US).
MEEMONGKOLKIAT, Vichai; (US).
RAMANATHAN, Saptharishi; (US)
Agent: BELOTE, Kevin, P.; ALSTON & BIRD LLP Bank Of America Plaza 101 South Tryon Street, Suite 4000 Charlotte, NC 28280-4000 (US)
Priority Data:
12/120,083 13.05.2008 US
Title (EN) SOLAR CELL SPIN-ON BASED PROCESS FOR SIMULTANEOUS DIFFUSION AND PASSIVATION
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT PAR ROTATION POUR DIFFUSION ET PASSIVATION SIMULTANÉES SUR UNE CELLULE SOLAIRE
Abstract: front page image
(EN)A thin silicon solar cell having a high quality spin-on dielectric layer is described. Specifically, the solar cell may be fabricated from a crystalline silicon wafer having a thickness from 50 to 500 micrometers. A first dielectric layer is applied to the rear surface of the silicon wafer using a spin-on process. A high temperature furnace operation provides simultaneous emitter diffusion and front and rear surface passivation. During this high temperature operation, the front emitter is formed, the rear spin-on dielectric layer is cured, and the front dielectric layer is thermally grown. Barrier layers are formed on the dielectric layers. Openings are made in the barrier layers. Contacts are formed in the openings and on the back surface barrier layer.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire mince au silicium comprenant une couche diélectrique de qualité élevée déposée par rotation. Précisément, la cellule solaire peut être fabriquée à partir d'une tranche de silicium cristallin présentant une épaisseur de 50 à 500 microns. Une première couche diélectrique est appliquée sur la surface arrière de la tranche de silicium au moyen d'un procédé de dépôt par rotation. Une opération effectuée dans un four à température élevée produit une diffusion d'émetteur et une passivation de surface avant et arrière simultanées. Pendant cette opération effectuée à température élevée, l'émetteur avant est formé, la couche diélectrique arrière déposée par rotation est durcie, et la couche diélectrique avant est obtenue par croissance thermique. Des couches barrières sont formées sur les couches diélectriques. Des ouvertures sont effectuées dans les couches barrières. Des contacts sont formés dans les ouvertures et sur la couche barrière de surface arrière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)