WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2009140052) METAL GATE INTEGRATION STRUCTURE AND METHOD INCLUDING METAL FUSE, ANTI-FUSE AND/OR RESISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/140052    International Application No.:    PCT/US2009/041861
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 28.04.2009
IPC:
H01L 21/335 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (For All Designated States Except US).
ESHUN, Ebenezer, E. [GH/US]; (US) (For US Only).
HE, Zhong-xiang [US/US]; (US) (For US Only).
RASSEL, Robert, M. [US/US]; (US) (For US Only).
COOLBAUGH, Douglas [US/US]; (US) (For US Only).
GEBRESELASIE, Ephrem, G. [US/US]; (US) (For US Only).
WANG, Ping-chuan [US/US]; (US) (For US Only).
KIM, Deok-kee [KP/US]; (US) (For US Only).
KOTHANDARAMAN, Chandrasekharan [US/US]; (US) (For US Only).
ROBSON, Norman, W. [GB/US]; (US) (For US Only).
MOY, Dan [US/US]; (US) (For US Only).
SAFRAN, John, M. [US/US]; (US) (For US Only).
STEIN, Kenneth, J. [US/US]; (US) (For US Only).
HO, Herbert, L. [US/US]; (US) (For US Only).
YAN, Hongwen [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ESHUN, Ebenezer, E.; (US).
HE, Zhong-xiang; (US).
RASSEL, Robert, M.; (US).
COOLBAUGH, Douglas; (US).
GEBRESELASIE, Ephrem, G.; (US).
WANG, Ping-chuan; (US).
KIM, Deok-kee; (US).
KOTHANDARAMAN, Chandrasekharan; (US).
ROBSON, Norman, W.; (US).
MOY, Dan; (US).
SAFRAN, John, M.; (US).
STEIN, Kenneth, J.; (US).
HO, Herbert, L.; (US).
YAN, Hongwen; (US)
Agent: CAI, Yuanmin; (US)
Priority Data:
12/119,526 13.05.2008 US
Title (EN) METAL GATE INTEGRATION STRUCTURE AND METHOD INCLUDING METAL FUSE, ANTI-FUSE AND/OR RESISTOR
(FR) STRUCTURE D'INTÉGRATION DE GRILLE MÉTALLIQUE COMPRENANT UN FUSIBLE MÉTALLIQUE, UN ANTIFUSIBLE ET/OU UNE RÉSISTANCE, ET PROCÉDÉ ASSOCIÉ
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor structure and a method for fabricating the semiconductor structure provide a field effect device located and formed upon an active region of a semiconductor substrate and at least one of a fuse structure, an anti-fuse structure and a resistor structure located and formed at least in part simultaneously upon an isolation region laterally separated from the active region within the semiconductor substrate. The field effect device includes a gate dielectric comprising a high dielectric constant dielectric material and a gate electrode comprising a metal material. The at least one of the fuse structure, anti-fuse structure and resistor structure includes a pad dielectric comprising the same material as the gate dielectric, and optionally, also a fuse, anti-fuse or resistor that may comprise the same metal material as the gate electrode.
(FR)L’invention concerne une structure à semiconducteur et son procédé de fabrication, qui mettent en œuvre: un dispositif à effet de champ situé et formé sur une zone active d'un substrat semiconducteur et d'au moins une structure de fusible, une structure d'antifusible ou une structure de résistance située et formée au moins en partie simultanément sur une zone d'isolation latéralement séparée de la zone active à l'intérieur du substrat semiconducteur. Le dispositif à effet de champ comprend un diélectrique de grille présentant un matériau diélectrique à constante diélectrique élevée et une électrode de grille présentant un matériau métallique. La structure de fusible, la structure d'antifusible ou la structure de résistance présente un diélectrique de plots comprenant le même matériau que celui du diélectrique de grille, et éventuellement, également un fusible, un antifusible ou une résistance pouvant comprendre le même matériau métallique que l'électrode de grille.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)