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1. (WO2009139936) SINGLE PHOTON DETECTION WITH SELF-QUENCHING MULTIPLICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/139936    International Application No.:    PCT/US2009/033876
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 12.02.2009
IPC:
H01J 43/08 (2006.01), H01J 43/04 (2006.01)
Applicants: CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 E. California Blvd., M/C 210-85 Pasadena, California 91125 (US) (For All Designated States Except US).
ZHENG, Xinyu [US/US]; (US) (For US Only).
CUNNINGHAM, Thomas J. [US/US]; (US) (For US Only).
PAIN, Bedabrata [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ZHENG, Xinyu; (US).
CUNNINGHAM, Thomas J.; (US).
PAIN, Bedabrata; (US)
Agent: STEINFL & BRUNO; 301 N. Lake Avenue, Suite 810 Pasadena, California 91101 (US)
Priority Data:
61/065,696 14.02.2008 US
Title (EN) SINGLE PHOTON DETECTION WITH SELF-QUENCHING MULTIPLICATION
(FR) DÉTECTION DE PHOTON UNIQUE AVEC MULTIPLICATION D'AUTO-DÉSACTIVATION
Abstract: front page image
(EN)A photoelectronic device and an avalanche self-quenching process for a photoelectronic device are described. The photoelectronic device comprises a nanoscale semiconductor multiplication region and a nanoscale doped semiconductor quenching structure including a depletion region and an undepletion region. The photoelectronic device can act as a single photon detector or a single carrier multiplier. The avalanche self-quenching process allows electrical field reduction in the multiplication region by movement of the multiplication carriers, thus quenching the avalanche.
(FR)L'invention porte sur un dispositif photoélectronique et sur un procédé d'auto-désactivation en avalanche pour un dispositif photoélectronique. Le dispositif photoélectronique comprend une région de multiplication à semi-conducteurs à l'échelle nanométrique et une structure de désactivation à semi-conducteurs dopée à l'échelle nanométrique, comprenant une région de déplétion et une région non de déplétion. Le dispositif photoélectronique peut servir de détecteur de photon unique ou de multiplicateur à porteur unique. Le procédé d'auto-désactivation en avalanche permet une réduction de champ électrique dans la région de multiplication par un mouvement des porteurs de multiplication, désactivant ainsi l'avalanche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)