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1. (WO2009139791) THIN FILM SEMICONDUCTOR-ON-GLASS SOLAR CELL DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/139791    International Application No.:    PCT/US2008/082304
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 03.11.2008
IPC:
H01L 31/042 (2006.01)
Applicants: TRANSLUCENT PHOTONICS, INC. [US/US]; 925 Commercial Street Palo Alto, CA 94303 (US) (For All Designated States Except US).
ATANACKOVIC, Petar, B. [AU/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ATANACKOVIC, Petar, B.; (US)
Agent: RADHAKRISHNAN, Kanika; Evergreen Valley Law Group, P.C. 4 North Market Street, Suite 598 San Jose, CA 95113 (US)
Priority Data:
12/119,387 12.05.2008 US
Title (EN) THIN FILM SEMICONDUCTOR-ON-GLASS SOLAR CELL DEVICES
(FR) DISPOSITIFS DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES SEMI-CONDUCTEURS SUR VERRE EN COUCHE MINCE
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to semiconductor devices suitable for electronic, optoelectronic and energy conversion applications. In a particular form, the present invention relates to the fabrication of a thin film solar cells and thin film transistors through the advantageous combination of semiconductors, insulators, rare-earth based compounds and amorphous and/or ceramic and/or glass substrates. Crystalline or polycrystalline thin film semiconductor-on-glass formation using alkali ion impurity barrier layer(s) are disclosed. Example embodiment of crystalline or polycrystalline thin film semiconductor-on-glass formation using rare-earth based material as impurity barrier layer(s) is disclosed. In particular, thin film silicon-on-glass substrate is disclosed as the alternate embodiment, with impurity barrier designed to inhibit transport of deleterious alkali species from the glass into the semiconductor thin film.
(FR)La présente invention porte sur des dispositifs semi-conducteurs appropriés pour des applications électroniques, optoélectroniques et de conversion d'énergie. Sous une forme particulière, la présente invention porte sur la fabrication de cellules photovoltaïque en couche mince et de transistors en couche mince par la combinaison avantageuse de semi-conducteurs, isolants, composés à base de terres rares et substrats amorphes et/ou céramiques et/ou en verre. L'invention porte sur la formation de semi-conducteur sur verre en couche mince, cristallin ou polycristallin, à l'aide de couches de barrière aux impuretés ioniques alcalines. Un mode de réalisation à titre d'exemple de la formation de semi-conducteur sur verre en couche mince, cristallin ou polycristallin, utilisant un matériau à base de terres rares en tant que couches de barrière aux impuretés, est divulgué. En particulier, un substrat silicium sur verre en couche mince est divulgué en tant qu'autre mode de réalisation, avec une barrière aux impuretés conçue pour empêcher un transport d'espèces alcalines nuisibles du verre au film mince semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)