WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2009139567) MEMORY DEVICE AND MEMORY PROGRAMMING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/139567    International Application No.:    PCT/KR2009/002487
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 12.05.2009
IPC:
G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/06 (2006.01), G06F 7/32 (2006.01)
Applicants: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416 Maetan-dong Yeongtong-gu Suwon-si, Gyeonggi-do 443-742 (KR) (For All Designated States Except US)
Inventors: CHO, Kyoung Lae; (KR).
KIM, Yong June; (KR).
SONG, Seung-Hwan; (KR).
KONG, Jun Jin; (KR)
Agent: MUHANN PATENT & LAW FIRM; 2, 5, 6th Floor Myeonglim Building 51-8 Nonhyeon-dong, Gangnam-gu Seoul 135-814 (KR)
Priority Data:
10-2008-0044146 13.05.2008 KR
Title (EN) MEMORY DEVICE AND MEMORY PROGRAMMING METHOD
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION D'UNE MÉMOIRE
Abstract: front page image
(EN)Provided are memory devices and memory programming methods. A memory device may include a multi-bit cell array including a plurality of multi-bit cells, a programming unit configured to program a first data page in the plurality of multi-bit cells and to program a second data page in the multi-bit cells with the programmed first data page, a first controller configured to divide the multi-bit cells with the programmed first data page into a first group and a second group, and a second controller configured to set a target threshold voltage interval of each of the multi-bit cells included in the first group based on first read voltage levels and the second data page, and to set a target threshold voltage interval of each of the multi-bit cells included in the second group based on second read threshold voltage levels and the second data page.
(FR)L’invention concerne des dispositifs mémoire et des procédés de programmation d'une mémoire. Un dispositif mémoire peut comprendre: un réseau de cellules multibits constitué de plusieurs cellules multibits; une unité de programmation de cellules multibits conçue pour programmer une première page de données dans les cellules multibits et pour programmer une seconde page de données dans les cellules multibits à l'aide de la première page de données programmée; un premier contrôleur conçu pour diviser les cellules multibits comportant la première page de données programmée en un premier groupe et un second groupe; et un second contrôleur conçu pour déterminer un intervalle de tension de seuil cible de chaque cellule multibit comprise dans le premier groupe, sur la base de premiers niveaux de tension lus et de la seconde page de données, et pour déterminer un intervalle de tension de seuil cible de chaque cellule multibit comprise dans le second groupe, sur la base de seconds niveaux de tension lus et de la seconde page de données.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)