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1. (WO2009139482) METHOD FOR CONTROLLING THRESHOLD VOLTAGE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/139482    International Application No.:    PCT/JP2009/059103
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 11.05.2009
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501 (JP) (For All Designated States Except US).
OFUJI, Masato [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAI, Yasuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWASAKI, Takehiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KANEKO, Norio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HAYASHI, Ryo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OFUJI, Masato; (JP).
TAKAI, Yasuyoshi; (JP).
KAWASAKI, Takehiko; (JP).
KANEKO, Norio; (JP).
HAYASHI, Ryo; (JP)
Agent: OKABE, Masao; (JP)
Priority Data:
2008-124859 12.05.2008 JP
Title (EN) METHOD FOR CONTROLLING THRESHOLD VOLTAGE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE RÉGLAGE DE TENSION DE SEUIL D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A method for controlling the threshold voltage of a semiconductor element having at least a semiconductor as a component is characterized in including a process to measure one of a threshold voltage and a characteristic value serving as an index for the threshold voltage; a process to determine one of the irradiation intensity, irradiation time, and wavelength of the light for irradiating the semiconductor based on one of the measured threshold voltage and the measured characteristic value serving as the index for the threshold voltage; and a process to irradiate light whose one of the irradiation intensity, irradiation time, and wavelength has been determined onto the semiconductor; wherein the light irradiating the semiconductor is a light having a longer wavelength than the wavelength of the absorption edge of the semiconductor, and the threshold voltage is changed by the irradiation of the light.
(FR)L'invention porte sur un procédé de réglage de la tension de seuil d'un élément à semi-conducteurs comprenant au moins un semi-conducteur en tant que composant, lequel procédé est caractérisé en ce qu'il comprend une opération consistant à mesurer l'une d'une tension de seuil et d'une valeur caractéristique servant d'indice pour la tension de seuil; une opération consistant à déterminer un paramètre parmi l'intensité de rayonnement, le temps de rayonnement et la longueur d'onde de la lumière pour exposer à un rayonnement le semi-conducteur sur la base de l'une de la tension de seuil mesurée et de la valeur caractéristique mesurée servant d'indice pour la tension de seuil; et une opération consistant à exposer le semi-conducteur à de la lumière dont un paramètre parmi l'intensité de rayonnement, le temps de rayonnement et la longueur d'onde a été déterminé; la lumière irradiant le semi-conducteur étant une lumière ayant une longueur d'onde plus grande que la longueur d'onde du front d'absorption du semi-conducteur, et la tension de seuil étant modifiée par l'exposition à la lumière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)