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1. (WO2009139417) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/139417    International Application No.:    PCT/JP2009/058927
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 13.05.2009
Chapter 2 Demand Filed:    15.02.2010    
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/761 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD. [JP/JP]; 11-2, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIMOYAMA, Kazuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUKAMOTO, Yasuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIMOYAMA, Kazuo; (JP).
TSUKAMOTO, Yasuhiko; (JP)
Agent: SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 20F, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Priority Data:
2008-125402 13.05.2008 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)On an n-semiconductor substrate (1), a trench to be a second side wall (7) is formed by cutting the substrate by means of a dicing blade having an inverted trapezoid shape. A p-diffusion layer (4) is prevented from being cut, by bringing the bottom section of the trench into contact with the p-diffusion layer (4) formed on a first main surface (2) (front surface) of the n-semiconductor substrate (1). Then, on the second side wall (7), a p-isolating layer (9) connected with a p-collector layer (8) and the p-diffusion layer (4) is formed. Since the p-diffusion layer (4) is not cut, a glass supporting substrate which supports a wafer and an expensive adhesive are eliminated, and the p-isolating layer (4) can be formed at low cost.
(FR)Sur un substrat semi-conducteur n (1), une tranchée qui doit être sur une seconde paroi latérale (7) est formée en découpant le substrat au moyen d'une lame de découpage en dés ayant une forme trapézoïdale inversée. On empêche une couche de diffusion p (4) de pouvoir être découpée, en mettant la section inférieure de la tranchée en contact avec la couche de diffusion p (4) formée sur une première surface principale (2) (surface avant) du substrat semi-conducteur n (1). Ensuite, sur la seconde paroi latérale (7), une couche isolante p (9) reliée à la couche de collecteur p (8) et à la couche de diffusion p (4) est formée. Etant donné que la couche de diffusion p (4) n'est pas découpée, un substrat de support en verre qui supporte une tranche et un adhésif coûteux sont éliminés, et la couche isolante p (4) peut être formée à faible coût.
(JA) n半導体基板(1)に逆台形状のダイシング刃で切削加工して第2側壁(7)となる溝を形成する。この溝の底部をn半導体基板(1)の第1主面(2)(おもて面)に形成されるp拡散層(4)と接するようにして、p拡散層(4)が切断されないようにする。そして第2側壁(7)にpコレクタ層(8)とp拡散層(4)に接続するp分離層(9)を形成する。p拡散層(4)を切断しないことで、ウェハを支えるガラス支持基板と高価な粘着剤が不要になり、低コストでp分離層(4)を形成できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)