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1. (WO2009139264) CONTACT FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/139264    International Application No.:    PCT/JP2009/057726
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 17.04.2009
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (For All Designated States Except US).
FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE [JP/JP]; 586-9, Aza Ushigafuchi, Akatsuka, Tsukuba-shi, Ibaraki, 3050062 (JP) (For All Designated States Except US).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TERAMOTO, Akinobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANAKA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISOGAI, Tatsunori [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHMI, Tadahiro; (JP).
TERAMOTO, Akinobu; (JP).
TANAKA, Hiroaki; (JP).
ISOGAI, Tatsunori; (JP)
Agent: IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2 Uchisaiwaicho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
Priority Data:
2008-129692 16.05.2008 JP
Title (EN) CONTACT FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE CONTACT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) コンタクト形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device manufacturing method includes a step of implanting, by ion implantation, a p-type or an n-type impurity into a Si layer section to be a p-type or an n-type contact region of a semiconductor device; a step of forming a metal film for a contact on a surface of the contact region without performing heat treatment for activating the implanted ions, after the ion implanting step; and a step of forming a silicide of a metal of the metal film by making the metal react to the Si layer section by applying heat. The step of forming the silicide and the step of activating the implanted ions by heat treatment after the metal film is formed are preferably performed at the same time.
(FR)Un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur comprend une étape d’implantation, par implantation ionique, d’une impureté de type p ou d’une impureté de type n dans une section de couche en Si pour former une région de contact de type p ou une région de contact de type n d’un dispositif à semi-conducteur ; une étape de formation d’un film métallique pour un contact sur une surface de la région de contact sans réaliser de traitement thermique pour activer les ions implantés, après l’étape d’implantation ionique ; et une étape de formation de siliciure d’un métal du film métallique en amenant le métal à réagir avec la section de couche en Si par l’application de chaleur. L’étape de formation du siliciure et l’étape d’activation des ions implantés par traitement thermique après la formation du film métallique sont de préférence réalisées en même temps.
(JA) 半導体装置のp型またはn型コンタクト領域となるべきSi層部分へp型またはn型不純物をイオン注入する工程と、イオン注入工程の後に、注入されたイオンを活性化するための熱処理を行うことなしに前記コンタクト領域表面にコンタクト用の金属膜を形成する工程と、加熱によって前記金属膜の金属を前記Si層部分と反応させて前記金属のシリサイドを形成する工程とを含む。なお、前記シリサイドを形成する工程と前記注入されたイオンを前記金属膜が形成された後の熱処理によって活性化する工程を同時に行なうことが望ましい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)