WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2009139204) THIN FILM TRANSISTOR, OPTICAL SENSOR CIRCUIT PROVIDED WITH THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2009/139204    International Application No.:    PCT/JP2009/052499
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 16.02.2009
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
BROWN, Christopher; (For US Only).
TANAKA, Kohhei; (For US Only).
KATOH, Hiromi; (For US Only)
Inventors: BROWN, Christopher; .
TANAKA, Kohhei; .
KATOH, Hiromi;
Agent: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Priority Data:
2008-124811 12.05.2008 JP
Title (EN) THIN FILM TRANSISTOR, OPTICAL SENSOR CIRCUIT PROVIDED WITH THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, CIRCUIT DÉTECTEUR OPTIQUE MUNI DU TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 薄膜トランジスタおよびそれを備えた光センサ回路並びに表示装置
Abstract: front page image
(EN)A thin film transistor (1) is to be used in a path wherein a current direction is fixed to one direction and provided with high-concentration impurity regions (3, 4) on the both sides of a channel region (5). The thin film transistor has a structure wherein a low-concentration impurity region (6) is sandwiched only between the high-concentration impurity region (3), which is on a side to which a carrier corresponding to the polarity of the high-concentration impurity regions (3, 4) flows in accordance with the direction of the current, and the channel region (5). Thus, the thin film transistor, which on/off controls output of an optical sensor incorporated in pixels constituting a display screen of a display device and has the structure not easily affected by a display signal, is provided.
(FR)L'invention porte sur un transistor à couches minces (1) destiné à être utilisé dans un trajet dans lequel un sens du courant est fixe dans un seul sens et qui comprend des régions d'impuretés à concentration élevée (3, 4) des deux côtés d'une région de canal (5). La structure du transistor à couches minces comporte une zone d'impuretés à concentration faible (6) prise en sandwich uniquement entre la zone d'impuretés à concentration élevée (3) qui se trouve du côté vers lequel un porteur correspondant à la polarité des zones d'impuretés à concentration élevée (3, 4) circule conformément au sens du courant et la région de canal (5). On obtient ainsi un transistor à couches minces qui commande par marche/arrêt la sortie d'un capteur optique incorporé dans des pixels constituant un écran d'affichage d'un dispositif d'affichage dont la structure n’est pas facilement affectée par un signal d'affichage.
(JA) 本発明の薄膜トランジスタ(1)は、電流の向きが一方向に定められた経路中で用いられ、チャネル領域(5)の両側に高濃度不純物領域(3,4)を有した薄膜トランジスタであって、上記電流の向きに従って、上記高濃度不純物領域(3,4)の極性に対応するキャリアが流れ込む側の高濃度不純物領域(3)とチャネル領域(5)との間にのみ、低濃度不純物領域(6)を挟んだ構造を有している。これにより、表示装置の表示画面を構成する画素に内蔵された光センサの出力をオンオフ制御する薄膜トランジスタに関して、表示信号からの影響を受けにくい構造を有した薄膜トランジスタを提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)