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Pub. No.:    WO/2009/139108    International Application No.:    PCT/JP2009/001475
Publication Date: 19.11.2009 International Filing Date: 31.03.2009
H03H 9/145 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMANE, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMANE, Takashi; (JP)
Agent: MIYAZAKI, Chikara; 6F, Daido Seimei Bldg. 5-4, Tanimachi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 540-0012 (JP)
Priority Data:
2008-124496 12.05.2008 JP
(JA) 弾性境界波装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a boundary elastic wave device of three-medium structure which can simultaneously improve a frequency temperature coefficient TCF and suppress a high-dimension mode spurious. The boundary elastic wave device (1) includes a piezoelectric substrate (2) on which two layers are successively layered, i.e., a first medium layer (3) formed from a dielectric material and a second medium layer (4) formed from a dielectric material having a different acoustic velocity from the dielectric material forming the first medium layer (3). An IDT electrode (5) is arranged at the boundary between the piezoelectric substrate (2) and the first medium layer (3). When V1 is a fast transversal bulk wave of the piezoelectric substrate (2) and Va is the acoustic velocity of the anti-resonance point at a high-dimension mode of the boundary elastic wave, the following relationship is satisfied: Va > V1.
(FR)L'invention concerne un dispositif à ondes élastiques de frontière caractérisé par une structure à trois milieux et capable d’améliorer un coefficient fréquence-température TCF et simultanément de limiter un parasite de mode à dimension élevée. Le dispositif (1) à ondes élastiques de frontière comprend un substrat piézoélectrique (2) sur lequel sont successivement déposées deux couches, à savoir une couche (3) de premier milieu formée d’un matériau diélectrique et une couche (4) de deuxième milieu formée d’un matériau diélectrique caractérisé par une vitesse acoustique différente de celle du matériau diélectrique formant la couche (3) de premier milieu. Une électrode (5) de TID est placée à la frontière entre le substrat piézoélectrique (2) et la couche (3) de premier milieu. Si V1 est une onde transversale rapide de volume du substrat piézoélectrique (2) et Va la vitesse acoustique du point d’antirésonance pour un mode à dimension élevée de l’onde élastique de frontière, la relation suivante est vérifiée : Va > V1.
(JA) 周波数温度係数TCFの改善と高次モードスプリアスの抑圧とを両立し得る三媒質構造の弾性境界波装置を提供する。  圧電基板2上に、誘電体からなる第1の媒質層3、及び第1の媒質層3を形成している誘電体と音速が異なる誘電体からなる第2の媒質層4が積層されており、圧電基板2と第1の媒質層3との界面にIDT電極5が配置されており、圧電基板2の速い横波のバルク波をV1、弾性境界波の高次モードの反共振点の音速をVaとしたときに、Va>V1である弾性境界波装置1。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)